国内首条！原集微二维半导体工程化示范工艺线成功点亮 预计今年6月通线

《科创板日报》1月7日讯（记者 郭辉） 1月6日，原集微首条二维半导体工程化示范工艺线点亮仪式在上海浦东川沙举行。这是国内首条二维半导体工程化示范工艺线。

原集微科技创始人包文中在点亮仪式中表示，其首条二维半导体工程化示范工艺线预计将于今年6月正式通线；同时预计将于今年9月实现等效硅基90nm CMOS制程小批量生产Mb级存储器和百万门级逻辑电路。

据了解，原集微此前已成功推出首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极”，实现从材料、架构到流片的全链条自主研发。按照其规划，到2029年，有望实现全球首款二维材料芯片的量产，用于低功耗边缘算力等场景。

“复旦系”企业开启二维半导体产业化探索

原集微成立于2025年2月，该公司由复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、微电子学院研究员及博士生导师包文中创办，系复旦大学科技成果转化衍生公司。原集微与复旦大学完成了过千万的技术转化协议，后续将进行工程化和以产品为导向的研发。

2025年12月，原集微宣布完成近亿元天使轮融资，该轮融资由中赢创投、浦东创投领投，上海天使会、新鼎资本、玖华弘盛、仁智资本跟投，股东中科创星、司南基金等机构持续加码。募集资金将专项用于原集微二维半导体工程化验证示范工艺线的核心工艺研发、专用设备购买、人才团队扩充，加速推动二维半导体芯片从实验室走向规模化量产。

复旦大学校长金力1月6日出席了原集微二维半导体工程示范线点亮仪式。他表示，高校是科技创新的“源头活水”，服务国家战略、推动成果转化服务经济社会发展是复旦作为顶尖高校的责任。复旦大学是国内二维材料研究的中坚力量，在集成电路设计、工艺优化迭代、逻辑验证领域均处于国内领先水平，为技术转化奠定坚实基础。原集微工艺线的点亮，正是复旦“基础研究-应用研究-产业转化”全链条创新能力的集中体现。

金力表示，以此次合作为起点，与浦东新区共同探索“校地协同创新”新模式，在前沿技术研发、高端人才培养、科技成果转化等领域开展更深层次合作，为上海建设具有全球影响力的科技创新中心，为我国半导体产业突破贡献更多“复旦力量”。

上海市科委副主任翟金国表示，上海将二维半导体作为未来产业培育的重要方向开展系统部署。围绕二维半导体材料、制造工艺、器件设计与装备等关键环节，系统布局重点攻关任务，加快突破核心技术壁垒。优化成果转化服务，上海将联动高校院所与创投机构，搭建协同平台，提供技术验证、人才与资金对接等全链条服务。推动产业生态培育，支持龙头企业牵头组建创新联合体，吸引上下游企业集聚，形成从研发到中试、再到规模化应用的完整产业闭环。

川沙新镇党委书记黄伟在致辞中表示，从2025年6月原集微二维半导体验证示范工艺线项目启动到如今工艺线正式运行，见证了“川沙速度”与高校技术转化活力的完美契合。川沙新镇将以此次项目为起点，进一步优化创新生态，吸引更多技术与人才集聚，逐步构建完整的二维半导体生态产业链，推动区域产业转型升级。

产业前沿向二维半导体收束 英特尔、台积电入局

据业内人士介绍，当硅基芯片制程逼近2纳米时，已达到传统硅沟道半导体材料的物理极限，而二维半导体（如二硫化钼、二硒化钨、铋氧硒）能够凭借晶圆级原子平整的“平面电子高速公路”结构，在短沟道尺度下具有天然强栅控能力，并能大幅简化工艺，这是由于每层材料都只有三个原子层厚度，在三维竖向上可以省去大量微纳加工流程。

同时，由于二维材料具有原子级厚度和光滑的表面，将为芯片先进制程赋予了新的技术路径，业内认为未来或可降低对先进EUV的依赖。

“超越摩尔定律的半导体技术路径，已在二维半导体方向上形成收束。”一名业内人士如是称。

据了解，二维半导体已经受到学术界及产业界的深入研究和认可，2025年其研究取得诸多进展。

其中，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室周鹏、包文中联合团队成功研制全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极（WUJI）”，并于2025年4月将相关成果发表于《自然》（Nature）主刊；南京大学集成电路学院教授王欣然、南京大学集成电路学院副教授李涛涛、苏州实验室研究员丁峰为共同通讯作者，于2025年7月在全球顶级科研期刊《Science》二维半导体领域文章，南京大学王欣然教授团队此前已在行业率先突破6英寸二维过渡金属硫族化合物半导体单晶量产化制备技术。

在产业界，台积电、三星、英特尔等已将二维半导体列为3-5纳米节点后硅基替代方案，欧洲微电子中心（IMEC）更将其明确为1纳米及以下节点的关键材料体系。

在2025年12月举行的2025 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔联合IMEC发表重要论文，详细介绍了他们在过渡金属二硫化物（TMD）领域的研究成果。据介绍，双方共同开发了适用于300毫米晶圆制造的源漏接触和栅极堆叠集成模块，涵盖了N型和P型二维晶体管，成果标志着二维材料逻辑器件集成技术迈出了关键一步。

IMEC同时与台积电联合，共同攻克二维半导体领域P型器件栅极堆叠难题，成功开发出适用于二硒化钨沟道的全新栅堆叠集成技术。IMEC计算与存储器件技术副总裁Gouri Sankar Kar在IEDM会议上表示，台积电为其提供了高质量WSe₂单层膜，通过后续转移在基板上构建了合成双层WSe₂，这种基于实验室的晶圆厂兼容集成方法，使双栅极P型晶体管性能达到了创纪录的水平。

二维半导体最终落地需更多可商业化的产品。据介绍，二维半导体材料由于其自身的原子级超薄厚度和天然钝化的完美界面，与传统体硅和SOI等CMOS工艺相比，更适合DRAM/FLASH存储器以及超短沟道先进工艺，并用于存储、逻辑、算力领域。

有行业人士认为，二维半导体产业初期可能还是会面向芯片设计复杂度不高，但对能耗比需求较高、对价格不敏感的AIoT领域，如物联网、传感器、柔性电子等产品中，后续再向存算一体等架构的大算力芯片设计开发迁移。