方舟微两款耗尽型MOS产品解析，非常适合稳压供电场景应用

前言

当下快充/适配器方案在追求更高功率密度的同时，PWM控制器VCC供电却常常成为令工程师头疼的问题，输入母线电压跨度大、启动与待机功耗要低、器件数量要少、可靠性还要高。传统“三极管+电阻+稳压管”的多器件组合方案虽然成熟，但BOM多、占板面积大、参数分散且一致性/失效点增多，已越来越不利于小型化与工程化量产。

为解决上述痛点，方舟微推出的DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL以超高阈值耗尽型功率MOSFET为核心，利用其独特的超高亚阈值稳压特性，为PWMIC等负载提供简洁可靠的VCC供电。

方舟微推出DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL耗尽型MOSFET

产品简介

DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL是ARK（方舟微）基于特有UltraVt®专利技术开发的超高阈值电压耗尽型功率MOSFET。相较DMZ(X)1015E，该系列具备更高击穿能力，漏源击穿电压（BVDSX）可超过130V，并加入ESD防护设计，可在-55℃～150℃的宽温范围内稳定工作。

凭借超高亚阈值特性，DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL可直接作为高压稳压器使用，将输入高电压转换为稳定低电压，为PWM IC等负载供电。产品面向宽输入电压场景的IC供电需求，稳压方案简单易用，适用于QC快充、PD快充、USB Type-C直充以及宽输出电压范围电源适配器等系统，可有效简化PWMIC供电设计并提升整机稳定性。

产品特性

DMZ(X)1315E / DMZ(X)1315EL 为 N 沟道（超高阈值）耗尽型功率 MOSFET。器件主打“超高关断阈值”特性。

在阈值电压层面两者参数如下：

DMZ(X)1315E：-27V＜VGS(OFF)＜-17V @ID=8μA（数值上：27V＞|VGS(OFF)| ＞17V@ID=8μA）；-11.5V＞VGS(OFF)@ID=5mA（数值上：11.5V＜|VGS(OFF)|@ID=5mA）。

DMZ(X)1315EL：-20V＜VGS(OFF)＜-13V @ID=8μA（数值上：20V＞|VGS(OFF)| ＞13V@ID=8μA）；-10.5V＞VGS(OFF)@ID=5mA（数值上：10.5V＜|VGS(OFF)|@ID=5mA）。

（DMZ1315E(L)结构示意图（左侧） DMZ1315E（SOT-23封装）(中部) DMX1315EL（SOT-89封装）（右侧））

整体可见，该系列器件具备最高可达 130 V高耐压输入能力，并集ESD防护设计，可提升系统抗静电与可靠性表现。依托其耗尽型器件与超高亚阈值特性，可实现“类稳压器”的供电方式，具备可靠、易用的稳压特性，适合用于为PWM IC等低压负载提供简洁直接的辅助供电方案。

应用领域

DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL可广泛应用于各类宽输入与宽输出电压平台，包括QC快充、PD快充、USB Type-C直充系统以及宽输出电压范围电源适配器等场景；同时也可延伸至直流接触器等场景应用。

在稳压输出供电的典型应用

稳压电路的典型电路方案

(DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL用于稳压输出供电的典型应用方案)

DMZ1315E /DMZ1315EL在图2所示电路中的实际稳压表现

分别使用DMZ1315E/DMZ1315EL样品按照典型应用方案所示电路进行测试，产品稳压输出特性如下：

1、DMZ1315E样品实测数据：

样品1实测静态参数：VGS(OFF)= -25.6V@ID=8μA，VGS(OFF)=-16.59V@ID=5mA。

样品1实测电路参数如下：

样品2实测静态参数：VGS(OFF)= -20.24V@ID=8μA，VGS(OFF)=-14.5V@ID=5mA。

样品2实测电路参数如下：

2、DMZ1315EL样品实测数据：

样品3实测静态参数：VGS(OFF)= -19.37V@ID=8μA，VGS(OFF)=-11.59V@ID=5mA。

样品3实测电路参数如下：

样品4实测静态参数：VGS(OFF)= -18.62V@ID=8μA，VGS(OFF)=-10.56V@ID=5mA。

样品4实测电路参数如下：

在快充领域的典型应用

传统的多种元件组合供电方案元件数量较多

（传统PWM IC供电的方案（多个元件组合实现））

在传统的PWM IC供电方案中，通常使用上图所示的三极管+电阻+稳压管的方案给PWM IC供电方案，但存在元件数量多、占用PCB空间大、物料管理复杂、不利于快充小型化以及可靠性风险增加等诸多问题。

DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL让供电方案更简洁可靠

DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL相较于DMZ(X)1015E，耐压提高至130V，可满足对电压有更高要求的方案（如PD3.1中新增的28V/5A输出）。DMX1315E /DMX1315EL(SOT-89封装) 耗散功率1W，能承受更宽的输入电压，适合单绕组的VCC供电；DMZ1315E /DMZ1315EL (SOT-23封装）耗散功率为0.5W，适合双绕组的VCC供电。

对于使用DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL的快充方案，仅需要使用一颗DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL，就能将输入的宽范围高电压转换为稳定的低电压，给PWM IC供电。可有效简化PWM IC供电方案，提高电源系统的稳定性。

DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL在快充方案中的典型应用方案如下图所示：

（DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL在快充中给PWM IC供电的典型应用方案（单绕组））

（DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL在快充中给PWM IC供电的典型应用方案（双绕组））

通过上图可见，采用DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL方案，可大幅降价元器件使用数量、有效简化PCB空间以及设计难度，并提升系统整体可靠性。

充电头网总结

充电头网了解到，DMZ(X)1315E/DMZ(X)1315EL依托超高阈值耗尽型器件的亚阈值稳压特性，它能够在宽母线电压波动、启动与待机功耗要求严苛的条件下，用一颗器件替代传统“三极管+电阻+稳压管”等多器件组合的方案，从而显著减少BOM与占板面积，降低调试难度与一致性风险，能够切实提升产品落地效率与量产稳定性。