北京
国家知识产权局信息显示，深圳市鑫业新光电有限公司申请一项名为“基于瞬态热阻测量的发光二极管芯片结温检测方法”的专利，公开号CN121276283A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了基于瞬态热阻测量的发光二极管芯片结温检测方法，涉及发光元件检测技术领域，所述方法包括：构建芯片测试控制模块，按照芯片应用场景对目标发光二极管芯片进行热阻测试参数设计，生成芯片热阻测试参数表，将目标发光二极管芯片置于绝缘材料封装温控箱，基于芯片热阻测试参数表对目标发光二极管芯片进行热阻测试，得到芯片瞬态热阻测量数据集，结合同批次芯片历史测试数据集引入误差补偿机制对芯片瞬态热阻测量数据集进行动态结温检测，确定目标芯片结温参数。解决了现有技术中发光二极管芯片的结温检测存在检测精度和可靠性不足的技术问题。达到了提高发光二极管芯片检测结果准确性和可靠性的技术效果。
天眼查资料显示，深圳市鑫业新光电有限公司，成立于2010年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鑫业新光电有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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