北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于大面积基板的浸没式等离子体源和处理腔室”的专利，公开号CN121263869A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本文公开的实施例包括用于大面积基板的浸没式电感耦合和电容耦合等离子体激发方法、设备和工艺。一种处理腔室包括：底座，所述底座用于在处理空间中支撑工件；感应元件阵列，所述感应元件阵列在所述处理空间在底座上方的一部分中；以及腔室顶或腔室盖，所述腔室顶或腔室盖在所述感应元件阵列上方。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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