北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“电容结构及其形成方法”的专利，公开号CN121237784A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种电容结构及其形成方法，其中电容结构包括：基底，基底包括电容区；位于电容区内的若干条第一沟槽；位于电容区内的若干条第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽交叉排布。通过将排布方向和延伸方向不同的若干第一沟槽和若干第二沟槽呈交叉排布，使得第一导电插塞和第二导电插塞均可以同时向沿第二方向延伸的第一沟槽、以及沿第一方向延伸的第二沟槽进行引导电流，以此缩短电流路径，从而降低电容结构的等效串联电阻。若干第一极板连线区可以呈分立式的穿插其中，避免大面积的整体铺设，使得第一沟槽和第二沟槽的形成区域面积增加，以此增大电容结构的电容密度。另外呈交叉排布的电容结构产生的应力均匀，能够有效减少因应力不均而导致的晶圆翘曲问题。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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