北京
国家知识产权局信息显示，中材（江苏）硅材料科技有限公司申请一项名为“一种用于半导体硅器件铸锭坩埚生产工艺”的专利，公开号CN121226033A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于半导体硅器件铸锭坩埚生产工艺，该用于半导体硅器件铸锭坩埚生产工艺包括原料准备：分别准备石英涂层的原料、熔融石英陶瓷套筒的原料、氮化硅涂层的原料及熔融石英陶瓷坩埚的原料；所述石英涂层的原料为含二氧化硅99.99%的天然高纯石英砂，所述熔融石英陶瓷套筒的原料与熔融石英陶瓷坩埚的原料均为D50 8‑12微米的石英细浆与20‑200目的石英粗砂的混合物。本发明提供的一种用于半导体硅器件铸锭坩埚生产工艺，熔融石英陶瓷套筒可设多孔结构，能在硅液粘连时释放应力；复合结构经注凝、注浆成型及干燥处理增强整体稳定性，避免应力集中导致的坩埚破裂或硅锭缺陷，保障铸锭稳定。
天眼查资料显示，中材（江苏）硅材料科技有限公司，成立于2011年，位于连云港市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本16000万人民币。通过天眼查大数据分析，中材（江苏）硅材料科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目76次，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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