北京
国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“一种空穴传输材料、发光器件的制作方法及发光器件”的专利，公开号CN121226328A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种空穴传输材料、发光器件的制作方法及发光器件，由于该空穴传输材料的给电子结构和外围可交联结构中的至少一个包括至少一个氢键接受基团，这样可以在交联后的空穴传输材料中引入比范德华力更强的氢键作用力来调控分子排列，例如在给电子结构包括至少一个氢键接受基团时形成的是分子内氢键，分子内氢键可以增强分子平面性，提高空穴迁移率；例如在外围可交联结构包括至少一个氢键接受基团形成的是分子间氢键，该分子间氢键可以阻碍交联后空穴传输材料中的链段运动，增强分子刚性，降低交联网络的无序性，从而抑制材料产生额外的缺陷态，提高空穴迁移率。
天眼查资料显示，京东方科技集团股份有限公司，成立于1993年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3741388.0464万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方科技集团股份有限公司共对外投资了74家企业，参与招投标项目296次，财产线索方面有商标信息776条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可47个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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