北京
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121218667A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底及位于衬底上的外延层，于外延层内形成有源区；于外延层内形成伪栅极沟槽，并基于外延层形成半导体层，半导体层位于伪栅极沟槽的侧壁及底面，且位于有源区与外延层之间；于伪栅极沟槽内形成伪栅极结构；于相邻的伪栅极结构之间形成目标栅极沟槽，目标栅极沟槽沿垂直衬底的方向贯穿半导体层并延伸至外延层内，目标栅极沟槽的深度小于伪栅极沟槽沿的深度；于目标栅极沟槽内形成目标栅极结构；形成层间介质层及金属层，层间介质层至少位于目标栅极结构的顶面，金属层至少位于伪栅极结构的顶面。能够实现间接屏蔽方式保护目标栅极沟槽底部目标栅氧化层，以改善器件的可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1926次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1309条，此外企业还拥有行政许可200个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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