北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“只读存储器的快速、低面积自测试”的专利，公开号CN121215009A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及只读存储器的快速、低面积自测试。公开了用于执行快速只读存储器(ROM)测试的方法。第一种方法中，通过执行利用扩展读取周期的第一组N次读取操作和随后的利用全速读取周期的第二组N次读取操作来生成签名，其中N是大于或等于2的整数。使用模加操作和模减操作对检索到的数据进行组合，并将其存储在签名寄存器中。在第二种方法中，通过执行利用扩展读取周期的两次读取操作，接着是利用全速读取周期的两次读取操作来生成签名。使用排斥OR(XOR)操作对检索到的数据进行组合，并将其存储在签名寄存器中。最终签名与预定值进行比较，以确定是否检测到任何错误。这两种方法都提供了能够检测各种ROM错误，同时最小化测试时间和复杂度的稳健测试。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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