得一微荣获年度AI优秀创新奖，以AI存力芯片推动产业智能进化

12月20日，由半导体投资联盟和集成电路投资创新联盟主办、ICT知识产权发展联盟协办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”在上海前滩华尔道夫酒店圆满举行。

得一微电子（YEESTOR）凭借其创新的AI-MemoryX显存扩展技术，荣获“年度AI优秀创新奖”。该奖项旨在表彰本年度在技术原创性与市场竞争力方面表现突出，特别是在填补国内空白或实现关键技术替代方面取得显著成效的AI产品。此次获奖，是业界对得一微电子持续创新和技术引领能力的高度认可，其AI存力技术发展路径正成为推动产业智能进化的重要力量。

AI-MemoryX显存扩展技术，赋能AI智能普惠

得一微电子AI-MemoryX技术的核心突破在于，以系统级创新破解了大模型训练与微调中的显存容量瓶颈。该技术将单机可用显存容量从传统显卡的几十GB量级，显著提升至10TB级别。这一突破大幅降低了对昂贵高速显存（如HBM）的依赖，使更多企业、科研机构及独立开发者都能以更经济的成本，高效开展大模型训练与微调。

通过打破显存资源的成本与规模壁垒，AI-MemoryX技术正加速在政务、医疗、教育、办公等多个关键领域的落地与普及，更广泛地赋能千行百业实现智能化升级。

AI存力芯片设计，推动产业智能进化

AI-MemoryX技术是得一微电子“AI存力芯片”技术路径下的率先实践。公司以“AI存力芯片设计，重构计算范式”为使命，通过存储控制、存算互联与存算一体三大技术支柱，致力于让每比特数据创造更多智能。

目前，得一微电子已构建覆盖AI 手机、AI PC、AIoT、AI汽车及AI Infra基础设施五大终端领域的完整产品矩阵，为智慧终端、智能汽车及智算中心提供全场景AI存力解决方案。通过系统级的存力提升，得一微电子助力各行业构建更具韧性、效率与自主性的存力基座，从容应对智能化转型中日益增长的数据密集型挑战。

展望未来，随着AI与实体经济加速融合，得一微电子将持续深化AI存力芯片的技术创新，并与产业链生态伙伴紧密协作，共同推动存算架构演进与融合，携手迈向更高效、普惠、可持续的智能未来。