三星、海力士上调HBM报价20%，存储芯片概念上涨

红星资本局12月25日消息，今日，存储芯片概念走强。截至午间收盘，天奥电子（002935.SZ）涨停，恒烁股份（688416.SH）涨近15%，成都华微（688709.SH）涨超11%，长川科技（300604.SZ）、盈新发展（000620.SZ）等涨超5%。

消息面上，12月24日，财联社援引外媒报道称，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

早在今年10月，有消息称三星电子与SK海力士计划在2025年Q4上调DRAM和NAND闪存价格，涨幅最高达30%，并已有客户开始洽谈2-3年期的长期供应协议，以应对可能出现的存储芯片短缺。

自今年三季度末，受AI需求推动，存储行业开启了“超级周期”，美光科技、三星电子、SK海力士业绩提升。

美光科技财报显示，2026财年第一财季（截至2025年11月27日），公司调整后营收达136.4亿美元，同比增长57%，远超分析师预期的129.5亿美元；经调整净利润为54.82亿美元，同比增长58%。

三星电子2025年第三季度实现营业利润12.16万亿韩元（约合85.6亿美元），同比增长32.2%，远超分析师预期的10.1万亿韩元。SK海力士2025年第三季度实现营业利润11.38万亿韩元，环比增长24%，同比增长62%。

A股上市公司同样表现亮眼，据中国上市公司协会数据，2025年前三季度，文生视频模型加速迭代，AI数据存储需求扩张，存储芯片产业上市公司营收增长16.08%，净利润增长26.44%。

对于存储芯片接下来的走势，红星资本局此前报道，CFM闪存市场资深产业分析师戴晓瑜表示，存储市场上最大的变量来自于AI服务器需求的激增，这一轮数据中心需求爆发带来的订单，预估会持续到2026年年底。

银河证券发布研报称，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬，预计DRAM价格环比增长18-23%，HBM的ASP增长23%-28%。随着服务器整机出货量年增幅度持续扩大，且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，Server单机DRAM搭载容量将随之提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，看好本轮存储行业上行周期。

编辑 陶玥阳 综合自财联社、21世纪经济报道等

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