绿芯的NVMe NANDrive®固态硬盘已在重点工业、航空航天和关键领域的项目中被选用

高性能BGA 固态硬盘提供经过验证的可靠性

中国，北京和美国，硅谷 - EQS Newswire - 2025年12月22日 –绿芯半导体已为其重点工业、航空航天以及关键领域的客户提供高耐久性、小尺寸封装（16mm x 20mm）的NVMe NANDrive®EX系列BGA固态硬盘样品。采用绿芯专有的EnduroSLC®技术设计，并且凭借在严苛环境下长时间工作的能力、稳定的读写性能以及超长的耐久性和数据完整性，GLS85LE NVMe NANDrive BGA固态硬盘持续吸引其客户强烈的关注。

EnduroSLC NVMe NANDrive EX系列固态硬盘可在恶劣的高温环境中可靠地存储数据，并且具有卓越的数据保持能力。支持符合OPAL标准的AES-256硬件加密、硬件秘钥擦除（HCE）和用户数据安全擦除等先进的数据安全功能。该EX产品系列支持7.5万、15万或40万擦写（P/E）次数的高耐久性（高达17800 TB写入（TBW）），可在-40oC至+95oC (Tc:外壳温度)温度范围内工作。

同时，绿芯也积极为客户提供工业级NVMe NANDrive PX系列的样品，该PX产品系列采用3D TLC（每单元3bit）NAND，支持5千擦写（P/E）次数（高达6700 TBW）的高耐久性。

绿芯NANDrive BGA 固态硬盘产品系列支持工业级温度，支持PCIe和SATA接口，可满足嵌入式系统中对接口、可靠性、耐久性和数据保持等不同应用的要求。绿芯致力于与客户紧密合作，全面的支持产品的验证与测试以及应用上的技术服务，并专注于在长生命应用中开发与扩展NANDrive产品线。

关于EnduroSLC®技术

EnduroSLC是绿芯开发的专有3D NAND管理技术，适用于严苛的工作环境下需要超长的数据保存时间和超高耐久性的高可靠性应用。采用EnduroSLC技术的固态硬盘可在复杂的温度条件下实现超强的数据保持能力，并支持高度交叉温度范围内的数据写入和读取。凭借先进的硬件ECC功能和NAND管理算法，EnduroSLC技术可显著提升基于SLC（每单元1比特）NAND固态硬盘的擦写耐久性，从而达到业界领先的40万擦写次数。

关于绿芯

基于超过30年的固态存储设计经验，绿芯致力于为嵌入式和工业企业系统开发耐久、可靠和安全的存储解决方案。公司总部设在北京，并在北京、上海、厦门、台湾新竹和美国硅谷设有产品研发中心。