好消息！英特尔宣布成功安装ASML TWINSCAN EXE:5200B光刻机

2025年12月15日，英特尔宣布该公司已成功安装并完成验收测试ASML Twinscan EXE:5200B，这是业界首款配备0.55数值孔径（High-NA）投影光学系统、专为商用芯片生产设计的高数值孔径EUV光刻机。

该设备将用于开发英特尔的14A制造工艺，这将是全球首个在其最关键层依赖High-NA EUV光刻机的工艺节点。这一里程碑标志着High-NA EUV光刻技术正从早期研发阶段稳步迈向高量产（HVM）时代。

ASML Twinscan EXE:5200B是基于英特尔2023年在俄勒冈研发工厂接收的第一代EXE:5000平台开发的第二代系统。该设备能够实现8nm分辨率的芯片图案化，显著超越当前低数值孔径（Low-NA）EUV工具在单次曝光（无多重图案化）下的13nm分辨率，从而提供更强的缩放能力。

与ASML Twinscan EXE:5000不同，ASML Twinscan EXE:5200B在50 mJ/cm²的实用剂量下，每小时可处理约175片晶圆（英特尔计划进一步优化至超过200片/小时），并实现0.7nm的叠加（overlay）精度。

这一叠加性能是通过平台控制、传感器校准和环境隔离的进步实现的，对于特征尺寸持续缩小的工艺节点至关重要，即使微小的对齐误差也可能导致良率大幅下降。

为提升整体性能，该光刻机集成更高功率的EUV光源，支持在更高剂量下更快曝光晶圆。这不仅提供更强的图像对比度，还能优化抗蚀剂工艺窗口，同时最小化线边缘粗糙度（LER）和线宽粗糙度（LWR），这些参数在先进节点中往往是生产挑战的核心。

ASML与英特尔合作不止于光学和光源，还重新设计了晶圆存储系统，负责晶圆的存储、排队以及进出扫描仪的传输。这一组件对生产率和图案精度有直接影响。新设计改善了批量流程和晶圆处理，确保晶圆以更可预测的状态进入曝光阶段。

同时，还强化了热控制，在曝光前后维持晶圆和载体的温度稳定性，因为即使微小温度波动也可能引起晶圆热胀冷缩，导致叠加误差、缺陷增加和良率损失。

此外，新架构通过减少热和机械变异，显著降低长期运行中的性能漂移，从而减少频繁重新校准的需求。这种稳定性对于未来多遍或多曝光图案化尤为关键，这在亚1nm时代将不可避免。

为充分发挥新光刻工具的潜力，英特尔正在并行推进掩模、蚀刻工艺、分辨率增强技术和计量学的优化工作，这些要素必须协同发展，以最大化High-NA EUV图案化的价值。

英特尔表示，High-NA工具将带来更灵活的设计规则，减少图案化步骤和掩模数量，缩短周期时间，并提升良率，得益于14A及更先进工艺在关键层无需多重图案化。同时，随着英特尔积累High-NA EUV的高量产经验，它将在亚1nm时代需要时无缝引入多重图案化，而不显著影响良率。

欲善其功，先利其器，这一最新重要进展不仅凸显英特尔在先进制造领域的先发优势，也预示着该公司正朝着更精细、更高效工艺节点的加速转型，缩小甚至追平与竞争对手三星和台积电之间的差距，从而扭转颓势。小编将在第一时间分享更多相关最新动态和爆料，敬请关注。