【IC风云榜候选企业91】爱仕特科技彰显三代半国产“芯”实力：问鼎“低空开拓先锋”，突破车规技术壁垒

【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

【候选企业】深圳爱仕特科技有限公司（简称：爱仕特）

【候选奖项】年度市场突破奖、年度车规芯片技术突破奖

【候选产品】MEK6碳化硅功率模块（兼容EconoPACK）、第四代车规SiC MOSFET

随着全球能源转型与产业升级的加速，第三代半导体碳化硅（SiC）以其卓越的性能，正成为新能源汽车、光伏储能、低空经济等战略性新兴产业的核心技术引擎。在这一浪潮中，深圳爱仕特科技有限公司凭借深厚的技术积淀与卓越的市场表现，迅速崛起为行业的中坚力量，其影响力正日益凸显。

爱仕特创立于2017年，总部位于深圳坪山区，是一家专注第三代半导体碳化硅（SiC）MOSFET芯片设计与高可靠性功率器件生产的国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业。该公司致力于成为全球领先的SiC功率半导体解决方案提供商，产品涵盖SiC MOSFET分立器件、二极管及功率模块，电压覆盖650V-3300V，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏储能、eVTOL、高端工业电源等核心领域。该公司在深圳坪山运营着2000㎡现代化车规级SiC功率模块生产基地，严格遵循IATF16949、AEC-Q101等国际质量标准体系，确保了产品的高品质与高可靠性。

自成立以来，爱仕特的技术实力与创新成果获得了政府及行业的高度认可。该公司于2024年9月被工信部认定为国家级专精特新“小巨人”企业，并于同年4月获批“广东省碳化硅半导体分立器件研究与应用工程技术研究中心”。此外，爱仕特还先后荣获赛迪科创Pre独角兽（2023）称号、深圳企业创新纪录（2023），并斩获毕马威中国“芯科技”新锐企业50强（2024）等多项荣誉，彰显了其在碳化硅功率器件领域强大的技术引领力、市场拓展力与高成长潜力。

此次，爱仕特以其两款尖端产品，强势竞逐“IC风云榜”两大奖项，并成为候选企业。

其中，爱仕特凭借MEK6碳化硅功率模块（兼容EconoPACK）——ASC400N1200MEK6B竞逐“年度市场突破奖”。该奖项旨在表彰在单款产品销售收入或销量增长上实现突出突破、在细分市场占有率领先且应用广泛的企业。

ASC400N1200MEK6B是爱仕特自主研发的高性能产品，技术成熟，已实现按月批量交付。作为飞机电调系统核心部件，它能高效转换电能，满足电动推进系统对高功率密度的需求，并已成功应用于国内头部低空飞行器制造商的载人eVTOL及电动固定翼飞机中。例如在载人eVTOL电调系统中，该产品可实现系统效率98.5%、减重30%的卓越效果。其创新在于高压高频架构适配空中动力、低损耗设计攻克续航瓶颈、高可靠性封装通过极端环境验证，并已布局13项相关专利（已获3项）。爱仕特MEK6碳化硅模块凭借在航空电驱系统中的突破性应用，荣获2025年“低空市场开拓先锋奖”。

同时，爱仕特的第四代车规SiC MOSFET——ASC150N1200MT4竞逐“年度车规技术突破奖”。该奖项表彰在前沿技术领域实现原始性重大创新、达到国际先进/领先水平、对推动车规芯片产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。该产品基于爱仕特自主研发的第四代平面栅工艺平台，核心参数领先：具备1200V高耐压、10mΩ超低导通电阻以及150A的大电流能力，其工作结温范围宽达-40°C至+175°C，全面满足车规级应用的严苛可靠性要求。它专为800V高压平台架构而设计，是提升电驱系统效率、推动超快充发展的关键芯片。

其创新性在于采用6英寸晶圆第四代平台，芯片面积较国内同行优化15%~20%；采用先进的TO247-4L封装（集成开尔文源极），通过独立驱动源引脚优化了高频开关性能与散热，支持多芯片并联，为大功率系统设计提供了便利与可靠性保障。此外，该产品支持15V/18V标准驱动电压，完美兼容现有硅基系统设计，极大降低了客户从硅基向碳化硅方案升级的难度与改造成本，实现了“平滑切换”。

ASC150N1200MT4已实现规模化量产，市场验证扎实：不仅在电动重卡电驱、海外超充桩、DC/DC转换器中批量应用，并已进入多家主流乘用车主驱验证阶段。其技术创新已获7项专利授权（共受理13项），充分展现了爱仕特在前沿车规芯片领域的原始创新与产业化实力。

【奖项申报入口】

2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度市场突破奖】

旨在表彰2025年度实现单款产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，2025年企业总体营收超过1亿元人民币，或实现20%以上的增长；
2、产品具备较强市场竞争力，在细分领域占据领先的市场份额，具有完全自主知识产权。

【评选标准】

1、技术或产品的主要性能和指标30%；
2、产品的销量及市场占有率40%；
3、企业营收情况30%。

【年度车规芯片技术突破奖】

旨在表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国车规芯片产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1、深耕车规芯片某一细分领域，2025年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术的原始创新性（50%）；
2、技术或产品的主要性能和指标（30%）；
3、产品的市场前景及经济社会效益（20%）。