【IC风云榜候选企业60】安德科铭竞逐“IC风云榜”双项大奖，以高纯前驱体材料实现国产化突破

【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

【候选企业】合肥安德科铭半导体科技有限公司 （简称：安德科铭）

【候选奖项】年度市场突破奖、年度技术突破奖

【候选产品】三(N,N'-二异丙基甲脒基)镧/La(iPr-fmd)3，三（二甲胺基）环戊二烯基铪/CpHf

在半导体产业向更先进制程持续演进的道路上，薄膜沉积前驱体材料已经成为芯片制造的“基石”。前驱体材料的性能表现直接决定了薄膜沉积工艺的成败，是影响器件功能与可靠性的关键。正因如此，半导体前驱体这种技术壁垒极高的先进电子化学品，长期以来被国际巨头主导，形成制约产业链自主可控的瓶颈之一。合肥安德科铭半导体科技有限公司自2018年成立以来，专注于先进电子级薄膜沉积前驱体材料的自主研发与生产，凭借一系列突破性成果，已经成长为国产高端半导体材料领域的重要力量。

安德科铭作为国家级专精特新“小巨人”企业、国家级高新技术企业，设立了省级企业技术中心和企业研发中心，并建立安徽省战略新兴产业基地，以及企业创新中心，为持续的研发创新和技术推进提供坚实保障。安德科铭以海归人才为核心，打造了一支以国家级、省级人才为支柱的高素质团队，荣获“安徽省高层次人才团队”、“115产业创新团队”等称号。公司专职研发人员占比高达30%，并汇聚了国家“启明计划”、安徽省“百人计划”等诸多杰出人才。公司建立了高校联合实验室、博士后工作站等多重人才培养机制，为打造的高水平人才梯队打下基础。

经过几年的高速发展，安德科铭已经构建了“总部+基地+区域中心”的全国性战略布局：依托合肥研发总部的自主研发能力，持续在铜陵产业化基地进行技术成果转化，并针对客户集群布局上海和武汉的业务拓展和客户服务中心，建立了强大的资源整合与市场服务能力。同时，为进一步增强核心竞争力，安德科铭与海外行业巨头达成合作，在合肥市经开区共同投资建设“高纯前驱体及电子级溶剂项目”，预计2027年投产。这样的合作在中国半导体产业陷入内循环的时代显得尤为重要，也将进一步巩固并提升公司的市场占有率与技术领先优势。

强劲的业绩增长是公司实力的最佳印证：过去三年，安德科铭营业收入复合增长率超过100%。在2024年营收已现规模的基础上，2025年迎来爆发式增长，营收体量实现跨越式跃升，同比增幅极为显著，且增长动能持续强劲。安德科铭研发成果同样丰硕，累计研发新产品50余种，申请专利125项（含发明专利81项），已获授权发明专利33项，并主导制定国际标准1项，参与制定国家标准2项。

凭借突出的市场表现与前沿技术突破，安德科铭竞逐“IC风云榜”年度市场突破奖、年度技术突破奖，并成为候选企业。这两个奖项旨在表彰在年度内实现显著市场增长，取得重大技术原创性突破、对产业链自主可控具有重大贡献的杰出企业。

竞逐“年度技术突破奖”与“年度市场突破奖”的核心产品：

三(N,N'-二异丙基甲脒基)镧/La(iPr-fmd)3：
此款由安德科铭自主研发的高介电常数（High-K）镧基前驱体材料，是芯片制造原子层沉积（ALD）工艺中的关键材料。产品采用创新的替代锂盐工艺及结晶升华双联纯化技术，实现了金属纯度≥99.9999%、关键镧系金属杂质≤50ppb的极高标准，热稳定性达300℃，且拥有高反应活性，能够显著提升先进逻辑芯片栅介质层的性能以及器件耐久性。其性能经行业专家认定达世界先进水平，已荣获安徽省新产品、首批次新材料认证。该产品已通过国内最大的芯片代工厂、国内最主要的DRAM生产厂家等头部企业验证，成功实现对进口产品的全面替代，填补了国产高端前驱体材料空白。目前，安德科铭作为国内唯一实现该产品稳定供应企业，在国内市场占有率远超海外巨头，成为安德科铭竞逐“年度市场突破奖”与“年度技术突破奖”的有力佐证。

三（二甲胺基）环戊二烯基铪/CpHf：
这是安德科铭另一款自主研发的High-K铪基前驱体材料，同样应用于先进芯片的ALD工艺。通过创新的“一锅法”合成与“规整填料-双循环精馏”纯化技术，攻克了共生金属分离难题，产品金属纯度达6N，关键共生金属杂质≤50ppb，性能超越国际主流厂商。该产品具有高蒸气压与优异热稳定性，是DRAM等存储芯片实现高性能的关键材料。产品已通过国内最主要的DRAM制造厂商和沉积设备厂商验证，实现批量供应近一年，成为主要客户唯一国产供应商，为保障国内半导体产业链安全提供了可靠替代。

两款核心产品集中体现了安德科铭在分子设计、合成路径、纯化工艺及产业化应用上的原创性突破，累计已获得相关授权专利35项（其中发明专利16项）。客户群已涵盖国内外顶尖芯片制造与设备企业。

【奖项申报入口】

2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度市场突破奖】

“年度市场突破奖”旨在表彰2025年度实现单款产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，2025年企业总体营收超过1亿元人民币，或实现20%以上的增长；
2、产品具备较强市场竞争力，在细分领域占据领先的市场份额，具有完全自主知识产权。

【评选标准】

1、技术或产品的主要性能和指标30%；
2、产品的销量及市场占有率40%；
3、企业营收情况30%。

【年度技术突破奖】

“年度技术突破奖”奖项旨在表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，2025年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术的原始创新性50%；
2、技术或产品的主要性能和指标30%；
3、产品的市场前景及经济社会效益20%。