北京
【CNMO科技消息】CNMO从韩媒获悉，三星已完成第六代高带宽内存（HBM4）的开发，并内部通过了量产准备审批（PRA），这是量产前的最终阶段。该突破意味着其制造竞争力已直接转化为盈利能力，而非仅停留在技术完成层面。
据悉，三星通过将10纳米级第六代（1c）DRAM与采用4纳米逻辑工艺制造的基础芯片结合，解决了发热和速度问题。HBM4的单价预计达中位500美元，较当前主力产品HBM3E（约370美元）上涨约50%，同时出货量预计同比增长三倍，明年总量达105亿Gb。这一价格与量的同步增长，将推动利润大幅提升。
证券机构预测，三星电子2026年营业利润可能接近或突破100万亿韩元，创历史新高。其中，半导体部门（DS）明年营业利润预计达77万亿-93万亿韩元，较今年（约40万亿-42万亿韩元）实现2-2.5倍增长。推动因素包括HBM市场主导权转移及通用内存短缺带来的价格普涨。
三星已向谷歌、英伟达等客户提交HBM4样品，目前未发现质量问题。业界预计其最早本月或明年初获得英伟达最终质量认证（Qual），与下一代AI加速器Rubin的发布计划同步。
CNMO注意到，全球AI内存严重短缺，竞争对手明年的产能预订已满。服务器DRAM需求明年预计增长35%，但供应仅增23%，导致价格持续上涨。三星将产能集中于高利润的HBM和服务器DRAM，将进一步推升移动及PC内存价格。
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