SiC外延片规模化前夜的产能狂奔：头部集中、技术卡位与价格跳水

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（来源：爱集微）

2025年，全球碳化硅（SiC）外延片行业进入“8英寸冲刺年”。从瀚天天成、天域半导体两大代工龙头的产能军备，到湖南三安、安意法、天岳先进等垂直整合者的通线战果，再到6英寸价格逼近成本线、8英寸均价一年腰斩，市场呈现“头部集中、技术卡位、价格跳水”的典型特征。本文结合多家公司最新招股书及公开资料，对参与主体、产能布局、技术突破与价格走势进行系统梳理。

参与企业格局：头部集中与多元竞争并存

全球SiC外延片市场已形成“头部引领、本土崛起”的竞争格局，中国企业凭借政策支持与产业链优势，在国内外市场中占据重要地位。

从全球范围来看，瀚天天成表现突出，作为全球首家实现8英寸SiC外延片大批量外供的企业，灼识咨询数据显示，2024年其以31.6%的全球市场份额（销量折合6英寸）位居全球第一，客户覆盖全球前五大SiC器件巨头中的四家，累计交付超过50万片碳化硅外延芯片。其市场地位依托于成熟的商业化能力与全球化客户布局，形成了显著的先发优势。

在中国市场，竞争呈现高度集中态势。弗若斯特沙利文数据显示，以收入计，2024年中国SiC外延片市场前五大参与者均为中国公司，占据87.6%的收入份额，其中天域半导体以30.6%的收入（约4亿元）占比和32.5%的销量占比（约6.7万片）成为行业领军者之一，是国内首批实现4英寸、6英寸量产及8英寸量产的企业之一。与位列其后的中国公司形成了区域集中、技术互补的竞争格局。

此外，行业还涌现出一批各具优势的参与者：湖南三安半导体凭借20余年化合物半导体经验，构建了衬底与外延协同的技术能力；安意法半导体（重庆）作为三安光电与意法半导体的合资企业，建成国内首条8英寸车规级SiC功率芯片规模化量产线；普兴电子、长飞先进、百识电子等企业则在6英寸量产与8英寸研发领域持续突破，共同构成了中国SiC外延片市场的多元竞争生态。

从市场格局来看，碳化硅外延片行业已初步形成了“独立代工+垂直整合+IDM自产”三轨并行的竞争结构，与此同时，衬底龙头企业也在加速向下游延伸，构建从材料到器件的完整链条，并形成梯队分明、多元布局的竞争格局：

·第一梯队：天域半导体、瀚天天成等，已实现6/8英寸规模化量产并占据主要市场份额；

·合资与专业代工：安意法半导体、重投天科、长飞先进等，聚焦车规级与特种工艺；

·新兴力量：株洲中车、芯合半导体、飞锃半导体等，正在快速推进8英寸技术验证与产能建设。

碳化硅外延片已初步形成梯队分明、多元布局的竞争格局

产能布局与扩张：8英寸成增长核心，规模效应凸显

伴随下游需求爆发与技术成熟，SiC外延片行业进入产能扩张周期，6英寸维持稳定供给，8英寸成为产能布局的核心方向。

（一）整体产能规模持续扩大

从行业整体来看，综合Omdia、Yole、灼识咨询等机构数据，全球SiC外延片销量从2020年的24.19万片增至2024年的98.99万片，预计2029年将进一步增至595.94万片，年复合增长率显著。国内企业产能扩张尤为积极：天域半导体现有总部基地年产能42万片，2025年生态园生产基地将新增38万片产能，总产能有望达80万片，未来2年总产能有望进一步提升至160万片/年；瀚天天成2024年产能为25.86万片，计划2029年将8英寸产能提升至46.3万片/年，目标利用率超70%；长飞先进武汉基地于2025年投产后形成合计42万片/年的碳化硅晶圆及外延产能；安意法半导体规划达产后8英寸外延、芯片产能为48万片/年，成为车规级领域的重要产能支撑。

（二）产品结构向8英寸倾斜

8英寸SiC外延片凭借显著的规模效应成为产能扩张的核心方向。数据显示，8英寸芯片面积较6英寸增加1.8倍，边缘芯片比例由14%降至7%，裸芯片数量增加90%，大幅提升芯片利用率并降低单位成本。截至2024年，全球具备成熟8英寸SiC外延技术的公司不超过10家，中国已有天域半导体、瀚天天成、湖南三安等五家企业实现该技术突破。

企业层面，天域半导体2024年开始量产8英寸产品，2025年前五个月销量达7772片，较2024年同期增长约350%；瀚天天成8英寸销量从2023年的285片增至2024年的7466片，2025年前五个月进一步增至2914片；株洲中车、芯合半导体、飞锃半导体等企业也加速推进8英寸产线建设，预计2025年底至2026年将陆续释放产能。

（三）6英寸仍维持重要地位

尽管8英寸增长迅猛，6英寸SiC外延片仍凭借成熟的生产工艺与成本优势，在中长期内保持需求增长。Omdia、Yole、灼识咨询等机构数据显示，2024年全球6英寸SiC外延片销量达82.28万片，2020-2024年年复合增长率44.6%，预计2029年将增至216.05万片。国内企业中，普兴电子计划2025年将6英寸产能提升至30万片；天域半导体6英寸销量2023年达125799片，占据其总销量的96.3%，仍是当前收入的核心支撑。

技术突破与创新：8英寸商业化提速，性能持续优化

技术创新是SiC外延片行业发展的核心驱动力，当前行业聚焦于大尺寸化、缺陷控制、工艺优化三大方向，推动产品性能与良率持续提升。

（一）8英寸技术实现规模化突破

8英寸SiC外延片的商业化是行业最关键的技术里程碑。天域半导体2022年完成8英寸外延片研发，2024年实现量产，截至2025年5月已有14家潜在客户完成验证并部分下达订单；瀚天天成通过优化温度、压力、气流分布等工艺参数，解决了8英寸外延生长的核心技术难题，产品质量达到国际先进水平，成为全球首家实现8英寸大批量外供的企业；湖南三安8英寸碳化硅外延产能已达2000片/月（2025年6月末），产线实现通线；芯合半导体8英寸SiC产线首次流片即取得97.26%的高良率，展现出成熟的技术转化能力。

（二）缺陷控制与均匀性提升成效显著

缺陷密度与掺杂均匀性是决定SiC外延片性能的关键指标。瀚天天成开发的BPD-free外延生长技术，可将BPD位错转化率超99.9%，使外延芯片中BPD缺陷数量近乎为零；通过精确调整表面热场、流场及碳硅比参数，其产品掺杂分布均匀性显著提升；普兴电子攻克6英寸车用大电流MOSFET碳化硅外延技术，填补国内空白；长飞先进、中电化合物等企业通过预蚀刻和缓冲层技术，有效减少衬底缺陷向外延层的延伸，显著提升产品良率。此外，针对超高电压器件需求，瀚天天成开发出厚度超200微米的外延层技术，仅含五个三角形缺陷，为IGBT等超高电压碳化硅功率器件制造提供支撑。

（三）工艺优化推动成本下降

技术成熟度的提升直接带动生产成本优化。国内制造商已能提供进口衬底的替代品，叠加生产效率提升与市场竞争加剧，碳化硅衬底全球平均售价从2020年的6400元降至2024年的4500元。同时，企业通过增加生长速率、优化工艺参数等方式，进一步降低单位生产成本，为行业规模应用奠定基础。

产品价格走势：持续下行后趋稳，结构分化明显

受产能扩张、技术成熟、原材料降价等多重因素影响，全球SiC外延片价格呈现持续下行趋势，但不同尺寸产品价格分化显著，未来下降幅度将逐渐收窄。

（一）整体价格下行趋势明确

2020-2024年，全球SiC外延片价格因原材料成本下降、技术成熟及产能提升持续走低。行业阶段性供过于求进一步加剧了价格压力，2024年SiC外延片及衬底市场价格下降明显，天域半导体外延片平均售价从2023年的8831元降至2024年的6753元，瀚天天成6英寸产品价格也呈现逐年下降态势。具体来看，6英寸SiC外延片2024年市场平均价格约为7300元/片，预计2029年将降至4400元/片，核心驱动因素为碳化硅衬底价格下降。

（二）不同尺寸价格分化显著

大尺寸产品因技术壁垒较高，价格虽同样下行但绝对值仍高于小尺寸产品，且下降幅度更为明显。天域半导体数据显示，2025年前五个月4英寸、6英寸、8英寸产品平均售价分别为2840元/片、3138元/片、8377元/片，较2024年同期分别下降42.5%、60.4%、52.1%；瀚天天成8英寸外延片销售的平均售价从2023年的21000元/片降至2024年的13620元/片，2025年前五个月进一步降至8916元/片。价格差异反映了不同尺寸产品的技术成熟度与产能供给情况，8英寸产品仍处于“降价换量”的市场拓展阶段。

（三）未来价格走势趋稳

随着SiC外延片产品加速迭代及下游应用需求持续增长，同尺寸产品价格下降幅度将逐渐缩小。一方面，下游电动汽车、储能等领域的需求爆发将消化过剩产能，推动市场供需趋于平衡；另一方面，8英寸产品占比提升将在一定程度上支撑整体价格水平，叠加企业通过规模效应降低成本，行业价格有望逐步企稳。天域半导体、瀚天天成等企业通过“以价换量”策略扩大市场份额，2025年销量均实现显著增长，印证了价格调整对需求的刺激作用。

行业总结与展望

SiC外延片行业正处于技术迭代与市场扩张的关键期，8英寸商业化、产能规模化、技术精细化成为核心发展趋势。企业层面，头部企业凭借技术积累与产能优势巩固市场地位，中小企业则聚焦细分领域实现差异化竞争；技术层面，缺陷控制与大尺寸工艺持续突破，推动产品性能与成本性价比提升；市场层面，下游需求增长与政策支持（如中国《制造业可靠性提升实施意见》、欧盟《欧洲芯片法案》等）共同支撑行业长期发展。

未来，随着8英寸产能持续释放、技术成本进一步下降，SiC外延片将在更多新兴领域实现渗透，行业市场规模有望持续扩大。但同时，企业需应对价格竞争、技术迭代及供应链波动等挑战，通过技术创新、产能优化与客户拓展构建核心竞争力，共同推动全球SiC外延片行业迈向高质量发展新阶段。