全球首款：SK海力士展示12层堆叠HBM4内存

IT之家 11 月 28 日消息，SK 海力士于 2025 年 11 月 16 日至 21 日在美国圣路易斯举行的全球顶级高性能计算（HPC）盛会超级计算大会 2025（SC25）上，集中展示了面向人工智能（AI）与高性能计算时代的一系列先进存储技术。

本届展会上，SK 海力士重点展出了其 HBM、DRAM 及企业级固态硬盘（eSSD）三大核心产品线，并设置了面向 AI 与 HPC 应用场景的现场演示环节。

在展台核心区域，SK 海力士重点展示了包括全球首款 12 层堆叠 HBM4 在内的最新高带宽存储器产品。该产品于 2025 年 9 月率先实现业界首发，单颗芯片集成 2,048 个 I/O 通道，较上一代 HBM3 提升一倍，带宽实现显著跃升；同时功耗效率提升超 40%，是超大规模 AI 计算系统的理想存储解决方案。此外，公司还联合英伟达（NVIDIA）展示了当前市场上性能最强的商用 HBM 产品 ——12 层堆叠 HBM3E，该产品将搭载于英伟达下一代 GB300 Grace Blackwell GPU 平台。

在 DRAM 展区，SK 海力士面向下一代服务器市场推出了基于 1c 节点（第六代 10 纳米级制程）的 DDR5 系列模组，包括 RDIMM 与 MRDIMM 产品，并重点呈现了 256 GB 容量的 3DS DDR5 RDIMM 与 256 GB DDR5 Tall MRDIMM。上述产品在高性能系统环境中展现出更高速率与更高能效，可为服务器及数据中心提供稳定可靠的运行保障。

IT之家注意到，企业级 SSD 方面，SK 海力士展示了覆盖高容量、高性能需求的多款 eSSD 产品：

• 基于 176 层 4D NAND 技术的 PS1010 E3.S 与 PE9010 M.2；
• 采用 238 层 NAND 的 PEB110 E1.S；
• 基于 QLC NAND 架构的 PS1012 U.2；
• 以及行业首创、搭载 321 层 QLC NAND 的 245 TB 超大容量 PS1101 E3.L。

上述产品不仅提供领先的存储容量，更通过 PCIe 4.0/5.0 高速 I/O 接口实现极速数据吞吐。此外，该公司还展出了面向多元化服务器部署环境的完整存储产品组合，包括广泛应用于入门级服务器与 PC 的 SATA 3 接口 SE5110 SSD。