员工跳槽引发巨头激烈对峙：台积电称已泄密，英特尔回击：毫无依据

全球晶圆代工两大巨头近日陷入一场“窃密”风波。

11月27日早间，英特尔方面在给第一财经的一份声明中，对此前台积电诉讼进行了回应。“公司有严格的公司政策与管控措施，严禁使用或转移任何第三方的保密信息或知识产权。我们高度重视并切实履行这些承诺。”英特尔称。

两天前，台积电正式向法院提起诉讼，指控前资深副总经理罗唯仁违反保密协议与竞业禁止义务，涉嫌将2nm等先进制程机密泄露给英特尔。

台积电在诉讼声明中披露，罗唯仁于2025年7月27日从公司退休，在台积电工作期间主导EUV光刻技术导入。据法务部门调查，2024年3月罗唯仁离开管理研发的企业策略发展部后，仍多次要求研发团队提供先进制程资料，而在今年7月离职面谈时，他明确告知将入职学术机构，却在10月底以执行副总裁身份出现在英特尔员工名单中。​

“这些营业秘密可能已被转移至英特尔，其行为同时违反竞业禁止协议。”台积电称。

面对指控，英特尔方面连续两日作出回应。26日，英特尔CEO陈立武在一场半导体产业协会颁奖典礼上反驳称相关指控是“毫无根据的谣言”，强调英特尔“有严格政策禁止使用第三方知识产权”。随后，英特尔发言人进一步指出，该公司18A制程采用RibbonFET晶体管与背面供电技术，与台积电2nm工艺路线存在本质差异，“无需借助外部技术数据”。

在业内看来，英特尔的制程技术与台积电存在多项本质差异。此外，英特尔是高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的早期采用者，而台积电目前尚未布局该技术。

不过，作为台积电在晶圆代工领域的老对手，当前正值英特尔业务发展的战略关键期。

在不久前举行的2025英特尔技术创新与产业生态大会中，英特尔宣布，Intel 18A工艺已在美国亚利桑那州工厂启动大规模量产，采用RibbonFET（全环绕栅极）晶体管与PowerVia（背面供电）技术，晶体管密度较上一代提升30%，相同能耗下性能提升15%。

这一技术被外界视为这家美国芯片巨头打破台积电技术垄断的核心抓手。

Counterpoint数据显示，2025年第二季度全球纯晶圆代工行业营收同比增长33%，核心驱动力就是先进工艺在AI GPU领域的应用。若英特尔无法在未来1-2年内将18A制程良率提升至商业化水平，技术先发优势将被台积电、三星的成熟产能吞噬，彻底失去高端代工市场的入场资格。这也是英特尔招揽罗唯仁的核心原因，希望借助他的行业经验加速技术落地，本质是与时间赛跑。

根据公开资料，现年75岁的罗唯仁拥有美国加州大学伯克利分校固态物理与表面化学博士学位，曾在英特尔担任先进技术制造厂CTM厂长，2004年7月加入台积电，最初担任营运组织副总经理，2006年至2009年出任研发副总经理，后升任先进技术事业及营运组织制造技术副总经理。2025年7月27日正式退休，较公司限定67岁退休年龄延退8年，也是台积电历任副总级退休年纪最高者。