三安SDS065J012C3现货，650V12A碳化硅价格卷

SDS065J012C3是三安半导体倾力推出的第三代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列中的一款核心产品，专为满足现代高频、高效率电力电子系统的严苛需求而设计。作为新一代功率半导体器件，它凭借碳化硅材料的优越物理特性，在耐压、正向电流处理能力及开关性能方面均实现了显著突破，是电力电子领域实现小型化、轻量化和高效率的关键组件。该型号器件采用行业标准的TO-220-2L封装，确保了良好的散热性能和易用性，广泛适用于工业电源、太阳能逆变器等对性能有极高要求的高端应用场景。

核心参数深度解析

• 重复峰值反向电压（VRRM）：650V
  650V的耐压能力使得SDS065J012C3能够安全应用于市电整流、PFC（功率因数校正）电路以及各种AC-DC和DC-DC转换器中，为系统提供足够的电压裕度，确保长期运行的可靠性与稳定性。
• 正向电流（IF）：18A（135℃时）
  在135℃的结温下仍能保持18A的强大正向电流处理能力，这远超其初始标称的12A，充分体现了该器件在高温工作环境下的卓越性能和可靠性。这意味着系统即使在恶劣的散热条件下，也能维持高效稳定的电流输出，降低设计复杂度。
• 正向压降（VF）：1.30V（25℃时）
  在25℃的室温环境下，其正向压降仅为1.30V，这一低压降特性直接转化为更低的正向导通损耗，从而显著提升了电源转换效率，减少了工作时产生的热量，有助于优化整体系统的能效表现。
• 反向漏电流（IR）：≤96μA（650V时）
  在承受650V的反向电压时，反向漏电流被严格控制在96μA以下，极低的反向漏电意味着在关断状态下功率损耗微乎其微，进一步提升了系统在待机或轻载时的效率，符合当前对节能环保的严格要求。
• 工作温度范围：-55℃~175℃
  宽泛的工作温度范围（从-55℃到175℃）展现了该器件卓越的耐热性能和环境适应性。它能够在极端寒冷或酷热的环境中稳定工作，极大地扩展了其应用场景，特别适用于对环境温度要求严苛的工业及户外设备。
• 封装：TO-220-2L
  TO-220-2L是一种成熟且广受欢迎的通孔功率封装，具有出色的热管理能力和机械强度。它便于工程师进行散热设计，并能够承受较高的电流和功率耗散，是实现高功率密度设计的理想选择。

核心特性优势凸显

• 无反向恢复损耗（无反向恢复）
  碳化硅肖特基二极管的本征特性决定了其几乎没有反向恢复电荷和反向恢复电流。这意味着在高频开关过程中，SDS065J012C3不会产生传统硅基PN结二极管固有的反向恢复损耗，从而大幅降低了开关损耗，提高了系统整体效率，并减少了EMI（电磁干扰）。
• 高频开关性能（温度独立性）
  碳化硅材料的高电子饱和漂移速度和低电容特性赋予了SDS065J012C3卓越的高频开关能力。更重要的是，其开关特性对温度变化的依赖性极低，即使在高温环境下也能保持稳定的高频性能，这使得电源系统能够工作在更高的开关频率，从而可以使用更小尺寸的电感和电容，实现电源模块的小型化和轻量化。
• 降低系统冷却需求，支持轻量化设计
  由于极低的导通损耗和几乎为零的开关损耗，SDS065J012C3在工作时产生的热量远低于同等规格的硅基器件。这意味着在相同的功率输出下，系统所需的散热片尺寸可以大幅缩小，甚至在某些情况下可以实现无风扇设计，从而显著降低了系统对冷却能力的要求，支持更加紧凑和轻量化的产品设计。

广阔的应用领域

SDS065J012C3的优异性能使其成为多种高端电源应用的理想选择：

• 工业电源（如UPS不间断电源、开关电源）
  在工业级UPS电源和各类高效率开关电源中，SDS065J012C3能够显著提升功率转换效率，降低能耗，延长设备使用寿命，并提高系统的可靠性。其在高频PFC电路中的应用尤其突出，有助于实现更小的滤波器和更高的功率因数。
• 电池充电器
  对于大功率电池充电器，特别是电动汽车充电桩、储能系统充电器等，采用SiC SBD可实现更快的充电速度，同时减少充电过程中的能量损耗和发热，提升充电效率与安全性。
• 太阳能逆变器
  在太阳能光伏发电系统中，逆变器是核心部件。SDS065J012C3能够帮助太阳能逆变器在宽广的电压和温度范围内实现更高的DC-AC转换效率，最大化光伏能源的捕获和利用，同时降低系统成本和维护需求。

供货信息及服务

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