内存功耗大降90%！22人存储创企融资超1亿，恩智浦领投

有望解决AI芯片内存瓶颈问题。

作者 |ZeR0

漠影

芯东西11月10日报道，近日，以色列片上存储IP创企RAAAM宣布已完成超额认购的1750万美元（约合人民币1.2亿元）A轮融资，由恩智浦半导体领投。

本轮融资完成后，RAAAM总融资额超过2400万美元（约合人民币1.7亿元）。

RAAAM成立于2021年5月，总部位于以色列，在瑞士设有研发中心，共有22名员工。该公司开发了新一代片上存储技术GCRAM，与高密度SRAM相比，其面积最多可缩减50%，功耗最多可降低90%

据官网介绍，RAAAM由4位来自巴伊兰大学和洛桑联邦理工学院、专攻超大规模集成电路（VLSI）设计的博士创立。

“与SRAM相比，我们的解决方案有望通过显著提高内存密度和降低功耗，解决顶尖AI芯片的内存瓶颈问题。”RAAAM联合创始人兼CEO Robert Giterman谈道。

为了减少芯片外数据传输，几乎所有SoC都集成了大量的片上嵌入式内存缓存。这些缓存通常采用静态随机存取存储器（SRAM）实现，并往往占据超过50%的芯片面积。由于SRAM的尺寸缩小已达极限，在5nm以下的先进CMOS工艺节点中不再进一步缩小，内存瓶颈问题更加严重。

在芯片尺寸不变的情况下，RAAAM的GCRAM技术能够增加片上存储容量，通过减少或完全消除片外数据传输，显著提升系统带宽和能效。减小存储器占用空间还可以通过缩小芯片尺寸大幅降低制造成本。

GCRAM的bitcell包含3颗晶体管，而DRAM只有1颗晶体管和1个电容。SRAM的bitcell通常包含6颗晶体管，是GCRAM的2倍。因此在其他条件相同的情况下，SRAM的面积和功耗大约是GCRAM的2倍。对于2Mbit等大型存储阵列而言，GCRAM的密度优势有助于大幅降低成本。

除了面积优势外，GCRAM bitcell采用解耦的读写端口，无需额外成本即可实现原生双端口操作，显著提升存储器带宽。

GCRAM在16nm FinFET工艺下可实现低至450mV的读写电压，标准片上SRAM的Vmin则为700mV。与其他SRAM解决方案相比，GCRAM能大幅降低功耗。

RAAAM的GCRAM技术已在领先晶圆代工厂的芯片上得到验证，工艺节点范围从16nm到180nm，并在5nm FinFET技术中成功进行了评估。

▲16nm-180nm工艺中RAAAM GCRAM技术的芯片实现显微照片

GCRAM技术能够采用任何标准CMOS工艺制造。半导体公司可将其作为SRAM的直接替代品，在更小的硅片面积上实现更大的片上存储容量，并降低功耗和成本。

新一轮融资将用于支持RAAAM在多家顶级晶圆代工厂的先进工艺节点上对GCRAM进行全面认证。

RAAAM还宣布与恩智浦展开紧密合作。恩智浦半导体前端创新副总裁Victor Wang评价说，RAAAM在片上存储器方面的突破直接解决了半导体价值链中的一个关键挑战。