零待机功耗启动电路新选择，方舟微DMZ6005E应用解析

前言

传统启动电路采用电阻式启动方式，虽结构简单，但启动电阻会在整个工作过程中持续消耗能量，同时导致温度上升，不利于高效电源设计。而使用耗尽型MOSFET取代启动电阻，能够在保持可靠性的同时，大幅降低待机功耗，成为新一代高效电源设计的理想选择。

耗尽型MOSFET因其天然“上电导通”的特性，在控制IC上电初期无需额外驱动即可自动为VCC电容充电，实现电源启动。当控制IC启动后，启动电路几乎无功耗。与之相比，增强型MOSFET在上电时默认截止，需额外驱动或复杂的分压网络辅助导通，电路设计更繁琐且容易造成额外待机损耗。

因此，方舟微推出以DMZ6005E为代表的耗尽型MOSFET，其能够有效简化启动电路设计，在高性能、高效率中展现出明显优势，可取代传统电阻式启动电路。

耗尽型高压MOSFET开关电源启动电路应用解析

在采用附加绕组为控制IC供电的开关电源中，启动阶段因附加绕组尚无输出电压，无法为控制IC提供初始电源，此时需由启动电路完成上电。

电阻式启动电路

传统启动电路通常由功率电阻和稳压二极管组成。此类电路结构简单，但功率电阻会持续消耗较大能量，导致系统功耗增加、温度上升、可靠性下降，同时体积较大，占用电路空间。

耗尽型MOSFET应用于启动电路

耗尽型MOSFET为“常开型”器件，在栅源电压VGS=0V时即可导通。将其用于启动电路，可有效解决电阻式启动电路的所有缺点。采用耗尽型MOSFET的启动电路，在控制IC启动后由附加绕组为控制IC供电，启动电路进入待机状态，几乎没有功率损耗。

常规PWM IC启动电路

（图1. 耗尽型MOSFET应用于常见的开关电源启动电路）

耗尽型MOSFET加串联电阻作为PWM IC的启动电路是比较简单且成本较为低廉的方法。如图1所示，耗尽型MOSFET Q2的源极与电阻R2串联构成启动电路。开关电源启动时，由于Q2处于导通状态，因此能够提供电源至VCC，并且流经Q2的电流IDSS还可以起到对C2充电的作用，使Q2源极电位升高。开关电源启动后，PWM IC由附加绕组供电，由于Q2的栅-源之间的电压VGS大于Q2的关断电压VGS(OFF)，因此Q2处于关断状态，启动电路几乎没有功率损耗。

对启动电路的主动控制

对启动电路的主动控制包含两种类型，一种类型为采用如IWATT的IW1699等控制IC的电路，如图2所示。电路启动时，由耗尽型MOSFET Q1对IW1699供电。电路启动后，由附加绕组对IW1699提供电源，并且由于IW1699具有ASU（Active Start-Up）引脚，该引脚使Q1栅极电位下降，使Q1栅-源电压VGS大于关断电压VGS(OFF)，此时启动电路无电流通过，无功率损耗。

（图2. 耗尽型MOSFET应用于iwatt1699启动电路）

然而，很多控制IC不具有IW1699那样的ASU引脚，因此需要添加外部器件来实现类似的功能，如图3所示。

（图3. 耗尽型MOSFET用于PWM芯片启动电路）

方舟微提供的DMZ6005E等型号高压耗尽型MOSFET，是应用于启动电路最理想的器件。DMZ6005E击穿电压BVDSX超过600V，可以在极宽的输入电压范围内正常工作，并且器件采用SOT-23封装，产品体积小，适于表面贴装。

简单看过耗尽型型高压MOSFET在开关电源启动电路应用后，充电头网继续为您介绍方舟微DMZ6005E这款600V耐压MOSFET。

方舟微DMZ6005E解析

DMZ6005E是一款采用SOT23封装的600V高耐压、700Ω导阻的常导通型耗尽式MOSFET，具有启动电流高，IDSS≥5mA、响应速度快、体积小等特点。

其在开关电源启动电路中可在上电瞬间自动导通，为控制芯片提供启动电流，当电源正常工作后通过电压控制自动关断，既保证了快速启动，又有效降低待机功耗。凭借高可靠性与简化的外围设计，DMZ6005E是取代传统高压启动电阻的理想器件。

充电头网总结

充电头网了解到，耗尽型MOSFET在开关电源启动电路中具备显著优势。相较于传统的电阻式启动方案，其能够在上电初期实现自动导通、快速启动控制IC，还能在电源进入稳态后自动关断，极大降低待机功耗与热损耗。同时方舟微以DMZ6005E为代表的耗尽型MOSFET凭借其600V高耐压、常导通特性等特性，为电源系统工程师提供了更高效、更可靠、更简洁的启动电路设计方案，助力电源系统在高性能与高能效方向持续演进。