上海
SK海力士已成功完成与英伟达HBM4明年供应的谈判，提前锁定明年的创纪录业绩。
据媒体最新报道，韩国半导体巨头SK海力士在与英伟达的第六代高带宽内存(HBM4)供应谈判中占据上风，并成功将其价格提升逾50%至每颗“500美元中半带”(500美元以上)，巩固了其在高端存储芯片市场的主导地位。
这款HBM4将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代人工智能芯片Rubin。SK海力士今年3月率先向英伟达交付全球首个HBM4 12层堆栈样品，6月即开始供应初始批次。随着AI基础设施投资热潮推高整体存储芯片需求，SK海力士的议价能力得到强化。
分析师预计，基于HBM4的高利润率和通用型DRAM价格飙升，SK海力士明年营业利润可能突破70万亿韩元创下历史新高，该公司已提前售罄明年产能。
技术升级推高成本，HBM4涨价逾50%，英伟达让步
HBM4的大幅提价有技术基础支撑。
该产品的数据传输通道(I/O)达到2048个，是前代HBM3E(1024个)的两倍。此外，连接图形处理器(GPU)和HBM的基础芯片中新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺。
考虑到这些技术进步带来的成本增加，SK海力士从HBM4开始将此前自主生产的基础芯片外包给台积电。该公司最初向英伟达提出的HBM4价格为500多美元，较前代产品提价逾50%。
英伟达最初对大幅涨价表现出抗拒，考虑到三星电子和美光将大规模供应HBM4，双方一度陷入僵持。但最终供应价格敲定在SK海力士提议的水平。一位SK海力士高管表示，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4具备大幅提价的因素。
利润率维持高位
完成价格谈判后，SK海力士近期向机构投资者表示，高营业利润率将在明年持续。据媒体报道，该公司称"符合英伟达规格的产品价格和数量已确定，正在维持'当前盈利能力'"。
这意味着即使三星电子和美光进入HBM4市场，也不会对SK海力士的业绩产生不利影响。
业界估算SK海力士的HBM4利润率约为60%。市场预计该公司明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元。若维持与今年相同的利润率，SK海力士仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润。
随着明年下半年从主力供应产品HBM3E转向HBM4，该公司HBM业务整体表现预计较今年(销售额约30万亿韩元，营业利润17万亿韩元)增长40%至50%。
SK海力士在近期投资者关系会议中向机构投资者预测，高营业利润率趋势将延续至明年。该公司强调，已锁定符合英伟达规格产品的价格和供应量。
通用型DRAM价格同步飙升，助力创纪录业绩！
SK海力士的业绩前景不仅依赖HBM4。在全球AI基础设施投资热潮推动下，图形双倍数据速率(GDDR)和低功耗DDR等通用型DRAM价格也在飙升。
据DRAMeXchange数据，DDR4固定交易价格9月突破7美元，创6年10个月来新高。这是因为近年主要存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用型DRAM供应瓶颈蔓延。
分析显示，随着DRAM价格上涨，SK海力士明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60%。一位业内人士表示，"随着推理AI市场快速扩张，存储芯片供应短期内无法跟上需求"，并补充称"SK海力士在产品生产前就已售罄明年产能，因此将维持高利润率"。
综合HBM4的高利润率和通用型DRAM价格上涨因素，市场预测SK海力士明年营业利润有望超过70万亿韩元。这一预期建立在该公司已确保HBM4盈利能力的基础上。
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