1、公司介绍
杭州士兰微电子股份有限公司是中国内地规模最大的集成电路芯片设计与制造一体化(IDM)企业之一。公司立足于功率半导体(功率IC、功率模块和分立器件)、智能传感器(MEMS)与模拟电路等核心领域,通过持续投入芯片制造产能建设,构建了从芯片设计、制造到封装测试的完整产业链。公司正从消费类市场向工业控制、汽车电子等高端应用领域加速转型,致力于成为世界级的半导体产品供应商。
2、里程碑 (1997-2025)
1997年9月 :公司正式成立,专注于芯片设计业务
2000年1月 :建成第一条芯片制造中试线
2001年1月 :杭州士兰集成电路有限公司成立,专注于BCD工艺和分立器件芯片制造
2003年3月 :在上海证券交易所上市(股票代码:600460)
2005年6月 :承担国家"863"计划课题,研发高压BCD工艺
2010年9月 :8英寸芯片生产线项目启动筹备
2015年12月 :与厦门市海沧区政府签署协议,合作建设12英寸芯片制造生产线和先进化合物半导体生产线
2017年10月 :杭州士兰集昕8英寸芯片生产线正式投产
2018年3月 :厦门士兰集科12英寸芯片生产线及厦门士兰明镓化合物半导体生产线项目正式开工建设
2020年7月 :厦门12英寸生产线实现通线并投产
2021年5月 :厦门12英寸线产能持续爬升,公司宣布定增募资,加码汽车级和工业级功率模块和功率IC研发
2022年9月 :厦门12英寸线实现月产4万片目标,厦门士兰明镓化合物半导体器件生产线投产
2023年11月 :公司产品在光伏逆变、新能源汽车、工业控制等高端市场取得突破性进展
2024年3月 :宣布启动"汽车电子芯片研发及产业化项目"
2024年12月 :厦门12英寸生产线月产能突破6万片
2025年6月 :新一代SiC功率模块实现量产,获得多家新能源汽车厂商订单
2025年9月 :宣布在杭州建设新的研发中心,聚焦第三代半导体技术
2025年10月 :宣布在厦门新成立一家子公司,建设一条12英寸的模拟芯片制造线,规划产能4.5万片/月
3、业务重组与战略投资 (2001-2025)
[设立] 2001年1月 :成立杭州士兰集成电路有限公司,进军芯片制造领域,实现从设计向IDM模式的转型
[设立] 2010年5月 :成立成都士兰半导体制造有限公司,布局西部市场
[合资] 2015年12月 :与厦门市海沧区政府合作,合资设立厦门士兰集科微电子有限公司(负责12英寸芯片生产线)和厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(负责化合物半导体器件)
[投资] 2017年10月 :对旗下制造子公司持续增资,扩大8英寸和12英寸芯片制造产能
[投资] 2021年5月 :通过定增募集资金,重点投向"汽车级和工业级功率模块和功率IC研发及产业化项目"
[投资] 2022年9月 :加大对厦门士兰明镓的投资,加快SiC功率器件等第三代半导体产品的研发与量产进程
[合作] 2023年8月 :与多家汽车零部件供应商建立战略合作,推进车规级芯片认证
[投资] 2024年3月 :启动新一轮产能扩张计划,投资建设新的功率半导体封装测试基地
[合作] 2025年1月 :与国际半导体设备供应商达成战略合作,引进先进制造工艺
士兰微的产品线围绕功率半导体、智能传感器和模拟电路三大核心构建,并持续向高门槛、高附加值领域拓展。
功率半导体 :公司核心业务,营收占比持续提升
功率IC :包括AC-DC、DC-DC、LED驱动电路、IPM(智能功率模块)等,广泛应用于家电、工业电源、汽车电子
功率分立器件 :包括IGBT、MOSFET、SBD、FRD等,在新能源汽车、光伏逆变器领域市场份额显著提升
功率模块 :IPM模块、IGBT模块、SiC模块,在白电、工控、新能源汽车领域实现批量供货
MEMS传感器 :包括麦克风、加速度计、压力传感器等,持续拓展工业级应用
模拟电路 :包括电源管理芯片、音频放大器等,产品线不断丰富
第三代半导体 :SiC功率器件、GaN射频器件已实现量产并推向市场
士兰微是国内少数拥有自有芯片制造产能的IDM企业,其制造能力是公司的核心竞争优势。
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杭州基地 :
士兰集成(5/6英寸) :工艺覆盖1.0μm至0.13μm,专注于高压BCD工艺、分立器件工艺和MEMS工艺,持续进行技术改造升级
士兰集昕(8英寸) :月产能稳定在5.5万片以上,主要生产高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET等特色工艺芯片
士兰集昕(12英寸) :2022年功率器件比较景气的时候,改造了一些产能出来,具体哪层没有更多信息
成都基地 :
成都士兰 :持续扩大封装测试产能,新增汽车级功率模块生产线
厦门基地(战略重心) :
士兰集科(12英寸) :公司最先进的制造平台,主要生产MOSFET、IGBT、高压IC等产品。截至2025年9月,月产能已达7万片,工艺技术提升至65纳米
士兰明镓(化合物半导体) :SiC功率器件产线已实现规模化量产,GaN射频器件产线完成工艺验证,开始小批量生产,4英寸 6英寸都有,产能折合成了4英寸
士兰集宏:8英寸SiC产线,一期3.5万片,二期2.5万片,合计6万片
士兰集华:最新公告的,准备再投资200亿,建设一条更先进的模拟 逻辑12英寸产线,规划产能,4.5万片。
研发体系 :
在杭州、上海、厦门设有三大研发中心
2025年启动建设新的汽车电子芯片研发平台
与多家高校和研究机构建立联合实验室
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