三步走！俄罗斯也要造EUV光刻机

近日，俄罗斯科学院微结构物理研究所披露了国产极紫外（EUV）光刻设备的长期研发路线图。

按照路线图，整个研发计划将分为三个循序渐进的阶段：

第一阶段（2026-2028年）研发可支持 40 nm制程的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精度达10nm，曝光区域覆盖3×3毫米，每小时可处理5片以上晶圆； 第二阶段（2029-2032年）计划推出可支持 28 nm制程（兼容14nm），采用四反射镜光学模组，套刻精度提升至5nm，曝光区域扩展至26×0.5毫米，产能提高到每小时50片； 第三阶段（2033-2036）将实现亚10nm（sub-10nm）工艺，运用六反射镜高精度光学系统，套刻精度控制在2nm以内，曝光区域达到26×2毫米，产能突破每小时100片。

整个技术路径覆盖65nm至9nm的宽泛制程需求，单位成本预计比ASML的Twinscan系列低30%以上。

和目前我们熟知的EUV光刻机不同，俄罗斯拟研发的EUV系统并未复刻ASML设备的架构，而是计划采用一整套完全不同的技术方案。

据报道，俄罗斯团队选择混合固态激光器、基于氙气等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射镜，这类反射镜可反射 11.2nm波长的光线，而当前全球 EUV 光刻的行业标准波长为 13.5 nm，11.2 nm属于非标准波长范畴。

此外，与 ASML EUV光刻机使用锡液滴作为光源靶材不同，俄罗斯的方案选用氙气作为光源材料，可消除损害光掩模的碎屑，从而大幅降低设备维护需求。同时，相较于 ASML DUV光刻机需依赖高压浸没式液体与多重曝光技术实现先进制程，该方案通过降低系统复杂度，有效规避了ASML设备因使用锡材料产生的微粒污染问题，显著降低光掩模维护频率。同时通过简化光学结构，省去了高压浸没液和多重图形化工艺，使得整体系统复杂度大幅下降。

尽管俄罗斯的技术方案具有差异化优势，但项目面临多重技术挑战。

首先就是11.2nm波长并非国际半导体行业协会（SEMI）认定的标准EUV波长，这意味着从光源系统到反射镜镀膜都需要自主研发。特别是钌铍反射镜的制造工艺、适配的光学组件以及专用光刻胶的开发，均存在较高技术壁垒。

此外，该波长光源的能量利用率和稳定性尚未得到行业验证，可能影响实际生产效率。

从市场定位来看，俄罗斯此次技术攻关并非瞄准台积电、三星等头部厂商的尖端工艺竞争，而是聚焦中小型晶圆厂需求——通过规避浸没式光刻和多重曝光等复杂环节，其设备在洁净度、维护成本和操作门槛方面具有显著优势。这种策略或将开辟新的细分市场，吸引那些被ASML生态圈排斥的新兴半导体企业。

若技术研发顺利，俄罗斯有望凭借低成本、高性价比的EUV解决方案，在全球芯片供应链中占据独特地位。

总体而言，这份路线图展现了俄罗斯突破西方技术封锁的战略意图。尽管技术方案存在诸多不确定性，但其创新思维为半导体设备国产化提供了新思路。随着全球芯片产业链重构加速，这种差异化竞争策略或将在未来引发行业格局的深层变革。