孟光 | 俄罗斯微电子产业的落后、封锁、自救

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苏联遗留的民用市场缺失与行政主导决策，导致俄罗斯微电子产业长期滞后；国际制裁切断先进制程供应链后，其国产元件陷入低端锁定。借鉴受制裁国家经验，俄罗斯需通过成熟制程创新、自主装备研发与国产替代，在非对称竞争中构筑生存力。

一、苏联/俄罗斯微电子产业落后的成因

1.生产工艺的缺陷

苏联无线电电子工业在微电子生产工艺上存在严重短板，突出表现为成品率低下。这一关键问题直接导致生产成本大幅攀升，即便产出合格产品，其性能稳定性也欠佳。性能波动不仅见于复杂集成电路，也常见于电容、电阻等无源器件。低成品率和高性能波动使得苏联微电子产品的质量和可靠性大打折扣，在市场竞争中处于劣势。

2.市场机制与决策体系的短板

民用终端市场培育滞后与市场化竞争机制不健全，极大地限制了苏联微电子产业的发展路径。技术路线的选择主要由行政决策主导，然而决策者往往缺乏该领域的专业认知，其决策标准还常常受到非技术因素的干扰。与之形成鲜明对比的是，美国通过私营企业的市场化探索，在不断的试错过程中逐渐趋近技术最优解。值得注意的是，这种监管缺陷并非苏联所独有，日本和法国对行业的过度管制同样阻碍了本国微电子行业的发展，最终使得美国在西方阵营中取得了绝对优势。苏联后期采取技术追随策略，加之解体导致产业根基崩塌，西方企业遂长期垄断俄市场。

图 1 英特尔8086 16位微处理器芯片

3.制裁下的俄罗斯国产元件困境

目前，俄罗斯使用的国产电子元件不仅数量有限，而且大多沿用旧工艺，部分甚至采用已被淘汰的生产技术，这些元件主要用于供应军工体系。在21世纪初期，俄罗斯虽开展了“厄尔布鲁士-8S”与“贝加尔-T”处理器研发项目，但其最先进制程仍依赖台积电代工服务。2022年西方对俄制裁加剧后，海外生产渠道完全中断。类似制裁亦波及像中国这样未涉及军事冲突的部分科技企业，同样面临美国制裁导致的台积电代工限制，充分印证了国际技术封锁的非对称性特征。

图 2 “厄尔布鲁士-8S”与“贝加尔-T”处理器

二、全球微电子市场的非均衡竞争格局与战略动因

1.领先企业的市场主导策略

在微电子市场中，行业领导者通过一系列系统性策略来抑制竞争者的发展。该领域核心的竞争逻辑在于，只有实现成本最小化才能维持领先地位，而成本优势又高度依赖于规模化产销体系。随着工艺制程的持续演进，研发与生产投入呈指数级增长，这使得维持低成本的优势门槛不断提高。为此，企业须持续扩产并开辟新市场。然而，消费者偏好动态变化，市场领导者稍有失误便会丧失份额，如智能手机领域，三星、苹果与中国品牌正激烈争夺市场。

2.国家力量干预与微电子产业的战略价值延伸

这种激烈的竞争态势促使领先企业积极寻求国家力量的支持。需要特别指出的是，微电子产业的战略价值不仅体现在直接的经济效益上，更包含操作系统和生态系统所带来的衍生收益，如用户行为数据所蕴含的战略价值，以及通过技术手段实施系统性控制的能力（例如区域性智能设备功能禁用）。历史案例显示，诺基亚的衰落不仅仅是商业竞争的结果，更折射出美国对独立技术生态系统的排斥，微软在收购诺基亚后随即终止了其MeeGo操作系统研发。

图 3 光刻机

美国对中国企业的遏制策略具有同构性。中国企业在构建自主技术体系方面的努力，既威胁到了美国的经济利益，更挑战了其技术控制权与地缘政治安全。2019年美国对华为的制裁，既是针对企业本身，也意在阻断中国技术追赶。

三、华为在压力下的适应性策略

1.制裁背景与发展破局

华为在受制裁前已快速接近全球智能手机与网络设备领域的技术前沿。美国以“数据安全”为由对华为实施出口管制制裁（指控具有对称性，因为中美均存在跨境数据采集行为），实质上切断了华为获取先进制程芯片的渠道，包括台积电的代工服务，导致华为无法持续获取基于7nm及以下先进制程节点的芯片制造服务。

2.多维应对策略的具体实施

面对制裁升级，华为采取了多维度的应对策略。一是推进芯片制造装备自主化，通过加大本土研发投资，试图从源头上解决芯片制造问题；二是充分挖掘现有工艺潜力，利用多重曝光等技术手段提升现有设备的制程潜力，例如尝试用7nm光刻机生产5nm芯片，但这种方式会使成本显著增加；三是架构优化，通过改进计算流水线与缓存设计，在既有工艺条件下提升x86等架构的能效比，尤其针对定制化软件场景进行优化；四是通过系统级软件调校优化硬件性能，弥补制程工艺的不足，这在实际用户体验与基准测试成绩上呈现出差异化表现。

四、俄罗斯微电子产业的低谷与潜在转机

1.当前产业的低谷现状

如果将俄罗斯视为一个独立的技术体系，其微电子产业正处于历史低谷。近期俄白联合研制的STP-350-1步进式光刻机（350nm制程）虽然属于90年代的技术水平，但采用了固态激光器等技术创新。按照规划，2024年将实现130nm制程的突破，这对应本世纪初高性能处理器的水平。目前，现有的进口设备（泽列诺格勒“微米”厂）仍可维持180-90nm制程的生产，未来甚至有可能扩展至65nm。俄罗斯科学院正在研发的X射线无掩模光刻技术虽然具有前瞻性，但目前尚未解决量产效率问题。

图 4 STP-350-1步进式光刻机

2.技术能力判断的认知偏差与调整空间

尽管俄罗斯微电子产业目前的形势严峻，但仅以工艺节点数值（如130nm、90nm）评估俄罗斯微电子技术能力，会忽视其在特定领域（如军工定制芯片）的创新潜力，存在认知局限性。俄罗斯微电子发展仍然存在战略调整的空间，未来可通过成熟制程应用创新、自主装备研发布局与产业链协同，逐步缩小与国际先进水平的差距。

综上所述，全球微电子产业竞争激烈，各国在技术研发、市场策略等方面面临着不同的挑战和机遇。俄罗斯微电子产业需要在困境中寻找突破，而其他国家也在不断调整战略以保持或提升自身的竞争力。

——本文编译自俄罗斯《军事评论》杂志文章《微芯片大战：技术进步的前沿正变得拥挤》

（科荟智库：孟光）

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