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去年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存。到了9月，三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，主要为了迎合企业级SSD市场呈现日益增长的趋势。
据TrendForce报道，多个消息源的信息表明，第9代V-NAND QLC闪存存在设计缺陷，导致出现性能问题，三星不得不将大规模生产的时间延后，推迟到2026年上半年。对于三星陷入困境的存储器业务来说，这又是一个重大打击。
三星的第9代V-NAND技术达到了290层，相比第8代V-NAND闪存的236层有了进一步的提高。随着近期主要云端服务供应商增加人工智能（AI）基础设施并转向高性能AI推理，对大容量存储的需求不断攀升，三星也希望通过更高存储密度的QLC SSD产品来满足市场的需求。虽然三星仍然主导了NAND闪存市场，但是在QLC领域却是落后的，旗舰QLC闪存产品仅停留在第7代V-NAND技术，层数为176层，而且没有发布第8代V-NANDQLC闪存产品。
上个月SK海力士宣布已开发出321层2Tb QLCNAND闪存产品，并开始量产。这是全球范围内首个300层以上的QLC NAND闪存，在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，计划2026年上半年正式进入AI数据中心市场。也就是说，三星第9代V-NAND QLC闪存即便在明年上半年实现量产，大概率技术方面还是落后于SK海力士。考虑到最近SK海力士在存储器领域的强势，对三星可是相当不利。
今年初，三星展示了即将发布第10代V-NAND闪存，总层数超过了400层，但是至今没有提供具体的量产时间表。
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