盛美半导体闪耀SEMICON Taiwan 2025 携前沿设备与面板创新方案

9月10日—12日，SEMICON Taiwan 2025在台北南港展览馆盛大举行，大会以“世界同行 创新启航”为主题，聚焦AI芯片、先进封装、异质整合等前沿领域，吸引众多知名半导体企业参展，共探产业新风向。

作为半导体设备领域的领先企业，盛美半导体携最新解决方法亮相展会，展示其在面板级先进封装等领域的卓越技术，持续为推动行业进步与技术突破注入强劲动力。

深入布局FOPLP领域 三大创新产品引领风向

在人工智能（AI）、高性能计算及数据中心等新兴应用的强劲驱动下，半导体先进封装技术正迎来关键转向。扇出型面板级封装（FOPLP）凭借其更高生产效率与更大封装尺寸，有望逐步接替CoWoS，成为未来AI芯片封装领域的新主流技术方向。盛美半导体紧跟市场趋势，深入布局FOPLP领域，在本次SEMICON Taiwan 2025上重点展示了Ultra ECP ap-p面板级电镀设备、Ultra C vac-p面板级负压清洗设备和Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备三款面板级先进封装的新产品。

与传统的垂直电镀解决方案不同，盛美半导体的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备创新性地采用了专利申请保护的水平（平面）电镀方式，利用旋转的方式，搭配独立的多阳极控制，能够更好地控制电镀均匀性；同时能够实现面板传输过程中引起的槽体间污染控制，大大降低了不同种金属之间离子交叉污染的风险，可作为具有亚微米RDL和微柱的大型面板的理想选择。该设备可加工尺寸高达515x510毫米的面板，同时具有600x600毫米版本可供选择，且盛美半导体正在开发310x310毫米面板的应用。该设备兼容有机基板和玻璃基板，可用于硅通孔（TSV）填充、铜柱、镍和锡银（SnAg）电镀、焊料凸块以及采用铜、镍、锡银和金电镀层的高密度扇出型（HDFO）产品。Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美半导体自主研发的世界首创面板级水平电镀技术，可动态精确控制旋转中的整个面板的电场分布。该技术适用于各种制造工艺，可确保整个面板的电镀效果一致，从而确保面板内和面板之间的良好均匀性。盛美半导体的Ultra ECP ap-p设备凭借多方面技术优势，获得了行业广泛认可，并于2025年3月荣获美国3D InCites协会颁发的“Technology Enablement Award”大奖，进一步体现了其在技术推进方面的卓越贡献。

Ultra C vac-p面板级负压清洗设备可处理510x515毫米和600x600毫米尺寸的面板以及高达7毫米的面板翘曲。利用负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物，可使清洗液到达狭窄的缝隙，显著提高了清洗效率，目前该设备已经在客户端实现量产。

Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备采用专为边缘刻蚀和铜残留清除而设计的湿法刻蚀工艺，在扇出型面板级封装技术中起到至关重要的作用。该工艺对于有效避免电气短路、最大限度降低污染风险、保持后续工艺步骤的完整性至关重要，有助于确保器件经久耐用。该设备的高效性主要得益于盛美半导体的专利技术，以应对方形面板衬底所带来的独特挑战。与传统的圆形晶圆不同，盛美半导体的独特设计可以实现精确的去边工艺，确保在翘曲面板的加工过程仅限于边缘区域。这一专利技术对于保持刻蚀工艺的完整性以及提供先进半导体技术所需的高性能和可靠性至关重要。

差异化竞争战略显成效 产品矩阵不断完善

盛美半导体自成立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发和不断投入，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、面板级先进封装设备、后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等，可覆盖前道半导体制造、后道先进封装、硅片制造三大类工艺设备应用领域。

在本次SEMICON Taiwan 2025上，盛美半导体还展示了公司的“明星产品”——SPM（硫酸过氧化混合物）清洗技术全景解决方案，近期该方案中的两款清洗设备——单晶圆中/高温SPM设备和Ultra C Tahoe中温设备再次取得重要技术突破，不仅深度契合客户需求，更树立了行业技术新典范。

其中，单晶圆中/高温SPM设备的升级主要包括：通过优化工艺参数及设备结构，显著提升了纳米级颗粒控制能力，产线大量测试的统计结果显示，设备在26nm颗粒测试中展现了平均颗粒数为5个的清洗效果，满足先进制程的严苛要求，体现了设备优异的均匀性和稳定性，此次升级进一步巩固了单晶圆高温SPM设备在颗粒控制能力等方面的领先优势，适用于逻辑、DRAM和3D-NAND等先进集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺。Ultra C Tahoe中温设备的性能突破主要包括：该平台在26nm颗粒测试中展现了平均颗粒数小于5个的清洗效果，满足了先进节点制造的严苛要求，适用于高密度逻辑芯片和存储芯片等应用；升级后的25片晶圆的槽式模块和9个单晶圆腔体使其每小时产能高达180片晶圆，大幅提高清洗效率；不同反应腔室间的薄膜厚度差异小于0.1A，确保清洗均匀性，避免因膜厚不均导致芯片性能波动。

除了清洗设备外，盛美半导体还展出了多款创新产品，包括电镀设备、刻蚀设备以及立式炉管设备等，吸引了众多来自全球的行业知名企业客户驻足参观。公司技术团队与来访客户围绕产品性能、技术细节及行业应用等议题展开了深入交流，并就进一步深化合作机会进行了探讨，现场气氛热烈，反馈积极。

展望未来，盛美半导体持续秉持“技术差异化、产品平台化、客户全球化”的发展战略，凭借在先进封装、清洗、电镀等细分领域的深厚技术积累、快速响应客户需求的创新能力以及日益提升的品牌影响力，盛美半导体必将成为推动全球半导体产业链中不可或缺的关键力量。