第三代半导体关键材料与制备工艺协同创新论坛 聚焦突破核心瓶颈

为进一步加强国际国内交流合作，展示最新科技成果，促进集成电路产业可持续健康发展，由中国国际光电博览会(简称CIOE中国光博会)与集成电路创新联盟主办、爱集微与深圳市中新材会展有限公司共同承办“SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展”将于2025年9月10—12日在深圳国际会展中心(宝安)举行。

与同期举办的“第26届中国国际光电博览会”形成双展联动之势，为行业搭建技术交流、成果展示的商贸平台。其中，第三代半导体关键材料与制备工艺协同创新论坛作为“SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展”的重要议程，将于9月11日上午在14号馆馆内会议室召开。论坛将汇聚行业顶尖专家与企业代表，围绕碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等核心材料的技术突破与工艺协同展开深度探讨，为第三代半导体产业规模化发展注入新动能。

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当前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，已成为支撑新能源汽车、5G 通信、储能、航空航天等战略性新兴产业发展的核心基础——其材料性能直接决定半导体器件的可靠性、耐高压性与能量转换效率，是突破传统硅基半导体性能瓶颈的关键。

然而，材料层面，SiC、GaN 晶体生长速率慢、缺陷密度高；工艺层面，外延层均匀性差、掺杂浓度控制难等问题，仍然制约着器件良率与规模化量产能力。在此背景下，关键材料与制备工艺的协同创新成为突破瓶颈的核心路径之一。

本次论坛特邀龙头企业与高校的行业专家，围绕材料制备、工艺优化、检测技术、产业化落地等核心议题发表主题演讲，为产业协同创新提供方向指引：

深圳市重投天科半导体有限公司经理杨占伟聚焦《碳化硅衬底+外延一体化生产优势》，解析一体化模式如何缩短产业链环节、降低成本，为规模化生产提供可落地的方案；

河北普兴电子科技股份有限公司市场总监张国良将分享《大直径高质量外延技术研究进展》主题，探讨外延片的技术突破方向，满足高端器件对大尺寸、低缺陷基材的需求；

大连创锐光谱科技有限公司总经理陈俞忠详解《SiC衬底位错无损检测技术助力晶圆良率预测与产业链降本增效》，阐述该技术如何精准预测晶圆良率、助力产业链降本增效；

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长、总经理赵丽丽以《科友半导体大尺寸低成本SiC产业化技术研发进展》为主题，分享产业化落地经验；

山西烁科晶体有限公司总经理李斌以《碳化硅材料技术、产业化发展情况及展望》为主题，从行业视角分析当前产业格局与未来技术路线，为企业战略布局提供参考；

南方科技大学助理教授赵前程探讨《绝缘体上磷化镓非线性集成光子器件》，拓展第三代半导体材料在光子集成领域的应用边界。

会议议程

第三代半导体产业正处于技术突破与规模化发展的关键期，本次 “第三代半导体关键材料与制备工艺协同创新论坛”将成为汇聚智慧、链接资源的重要节点。诚邀半导体材料企业、器件厂商、设备供应商、科研机构及投资机构代表参会，共探技术突破路径，共促产业协同发展，助力中国第三代半导体产业迈向高质量发展新阶段！

论坛时间：2025 年 9 月 11 日上午

论坛地点：14号馆馆内会议室

了解更多展会及会议详情，请联系：孟女士 13401132466 (微信同号)

邮箱：mengying@ijiwei.com

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