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金融界2025年8月12日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司取得一项名为“沟槽栅超结MOS结构”的专利，授权公告号CN223219399U，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种沟槽栅超结MOS结构，其包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，设置在所述第一导电类型衬底的正面；第二导电类型体区设置在第一导电类型外延层的正面且位于第一导电类型外延层内；第二导电类型柱至少设置有两个，从第一导电类型外延层的正面延伸至第一导电类型外延层；沟槽栅结构设置在相邻的两个第二导电类型柱之间且从第二导电类型外延层的正面往背面延伸；第二导电类型掺杂柱和沟槽栅结构对应设置，设置在沟槽栅结构的背面；第一导电类型源区设置在第二导电类型体区的正面且位于第二导电类型体区内 。
天眼查资料显示，无锡旷通半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡旷通半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自金融界
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