北京
金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，科磊股份有限公司申请一项名为“具有基于氟化物的抗反射涂层的硼涂覆的背照式图像传感器”的专利，公开号CN120391097A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，用于检测短波长辐射(例如，深紫外线(DUV)及真空紫外线(VUV)光)的背照式图像传感器(150)包含半导体隔膜(160)、形成在所述半导体隔膜的前侧表面(161)上的电路元件(171)及所述半导体隔膜的背侧表面(162)上的纯硼涂层(180)。两部分抗反射涂层(181)经形成在所述纯硼涂层(180)上方且包含安置在所述纯硼涂层(180)与基于氟化物的抗反射层(185)之间的薄氧化物或氮化物保护层(182)。一种用于制造所述图像传感器的方法可包含执行等离子体原子层沉积(等离子体ALD)工艺以循序地产生所述纯硼涂层(180)、所述氧化物/氮化物保护层(182)及接着所述基于氟化物的抗反射层(185)。所述等图像传感器可经配置为电荷耦合装置(CCD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器或光电二极管，且经布置为二维(2D)区域传感器或一维(1D)阵列传感器。
本文源自：金融界
作者：情报员
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