北京
金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，红与蓝微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种P-GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法”的专利，公开号CN120379293A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种P‑GaN栅增强型GaN+HEMT器件短路保护方法，包括：制作P‑GaN层的晶圆，通过刻蚀工艺去除栅极以外的P‑GaN层，得到栅极金属区域，在所述栅极金属区域两侧分别制备源极和漏极；在保留的栅极金属区域选择性沉积，得到多段彼此间隔开的SCP栅极，最终获得P‑GaN栅增强型GaN HEMT器件。通过选择性的在P‑GaN层上沉积栅极金属的办法，实现PGaN E‑mode GaN的短路保护能力的增强，通过选择性的栅极金属沉积大幅降低增强型氮化镓器件的饱和电流，从而增强短路保护能力，同时该方法不增加器件的正常导通电阻。相比未使用此种技术的E‑GaN器件，能够显著提升增强型氮化镓器件在电机驱动等领域的可靠性和稳定性。
天眼查资料显示，红与蓝微电子（上海）有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1242.8982万人民币。通过天眼查大数据分析，红与蓝微电子（上海）有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息14条。
本文源自：金融界
作者：情报员
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