北京
金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种倒装型DBR-LED芯片的制备方法”的专利，公开号CN120344053A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种倒装型DBR‑LED芯片的制备方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；沿P型GaN层表面沉积形成透明ITO电流扩展层；以第一光刻胶为掩膜，形成N型导电开口；以第二光刻胶为掩膜，形成隔离沟槽；整面沉积形成钝化反射结构；以第三光刻胶为掩膜，在钝化反射结构中刻蚀形成N型通孔和P型通孔；以第四光刻胶为掩膜，在钝化反射结构上蒸镀形成N型金属层和P型金属层，N型金属层连接N型GaN层，P型金属层连接透明ITO电流扩展层。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目226次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可22个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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