上海
8日，第一财经从国内氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛科（02577.HK）处确认，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司表示，要在未来五年内提升到7万片/月。
英诺赛科是实现大规模量产8英寸晶圆的氮化镓集成器件制造商（IDM），产品覆盖晶圆制造、分立器件、智能氮化镓IC、驱动控制芯片和氮化镓功率模块。目前氮化镓（GaN）在充电器或者其他消费电子产品里的占比越来越高。凭借高效能和小体积，也在电池的双向电能转换、光伏的光储互补、数据中心功率密度提升领域发挥重要作用，有望成为替代硅的重要材料。
英诺赛科透露扩产的时间点恰逢台积电退出氮化镓代工业务，英飞凌不久前也刚高调宣布在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。现有的知名功率半导体企业不愿错过这样快速增长的市场是对氮化镓未来发展的认可，但在工程可实现方面，显然存在分歧。
根据Yole Group的预测，到2030年，GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元。
相较于8英寸晶圆，12英寸晶圆的芯片产出数增加了2.3倍，要维持稳定的良率并不容易，样品与具备成本效益的稳定量产之间，仍有漫长的工程优化之路要走。
“送样之后是不是准备量产？如果准备量产，第一个问题应该问MOCVD设备是谁家的？这个世界上还没有可以量产12寸MOCVD，没有产业化的设备。”英诺赛科强调，公司将聚焦8英寸产线工程化的成熟度，再逐步推进12英寸产线，不会追逐概念性技术。对于12英寸技术投向市场，英诺赛科预计到2030年才能实现商业化。
“公司产品在持续迭代，未来几年内将通过产能提升和产品迭代，在性能和成本上对传统硅功率半导体形成显著优势。这种技术进步能为客户带来高达40%的性能提升和30%的收益。”英诺赛科认为，这不仅与产能提升相关，也意味着需要陪伴客户3-5年的时间才能看到成果。
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