北京
分享至
金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“形成互连结构的方法及相关的半导体处理系统和结构”的专利，公开号CN120237092A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，公开了用于形成互连结构的方法和用于形成互连结构的半导体处理系统。所公开的方法包括在导电层中形成导电元件以及在导电元件上形成钝化层。所公开的方法还包括在沟槽中形成低介电常数层之前去除钝化层，以防止低介电常数层中的处理引起的损伤。所公开的半导体处理系统包括第一、第二和第三反应室以及用于形成互连结构的转移模块。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
