美光业绩超预期，持续重点看好存储板块龙头江波龙 | 投研报告

天风证券近日发布半导体行业研究周报：综合来看2025年，全球半导体增长延续乐观增长走势，2025年AI驱下游增长。同时，政策对供应链中断与重构风险持续升级，国产替代持续推进。展望二季度，建议关注设计板块存储/代工SoC/ASIC/CIS二季度业绩弹性，设备材料算力芯片国产替代。存储板块预估3Q25存储器合约价涨幅持续，企业级产品持续推进，带动季度业绩环比增长明确。

以下为研究报告摘要：

持续重点关注存储板块，基于存储涨价持续性+AI强催化+国产化加速，上游原厂DDR4第三季合约价预涨30-40%：1）Q3Q4存储大板块或持续涨价、2）AI服务器、PC、手机等带动存储容量快速升级+HBM、eSSD、RDIMM等高价值量产品渗透率持续提升拉高板块收入提亮、3）HBM、eSSD、RDIMM、DDR等高难度高速发展产品国产化率持续提升，国内存储市场进一步加速成长。DDR4/DDR5来看：订单能见度直达Q3：DDR4存储芯片价格跳涨，部分型号已与DDR5产品“倒挂”，4月初至6月中旬，32GB的DDR4RDIMM现货价格已涨超30%，64GB的DDR4RDIMM更是出现220美元的报价。威刚科技DDR4/DDR5订单全线爆满，产能持续饱和，工厂连续5个月加班生产，系统大厂订单能见度已覆盖至9月。涨价红利深度锁定：上游原厂DDR4第三季合约价预涨30-40%(财迅快报)，公司凭借充沛库存与稳定货源，业绩弹性与盈利空间显著扩大。价格方面，二季度存储涨势喜人，Q3-Q4DRAM/NAND涨价动能强化，供给侧改革驱动DDR4领涨。Q3Q4涨价趋势明确：① DRAM及DDR4合约价：PC DDR4预期涨幅扩大，Server DDR4涨幅同样扩大；Q4DRAM预期持续上涨② NAND Flash：Q3合约价涨幅上修至5-10%，企业级SSD订单显著增加，Q4涨价持续性延续预期上涨8-13%。需求侧AI渗透率提升：算力需求引领存储升级，服务器、PC、手机存储容量快速提升。国产化突破：企业级存储/主控芯片/封测等技术攻坚，产能扩张重塑供应链格局。头部模组厂商高端化突破，主控自研构筑护城河、芯片厂商平台化布局，接口与存储技术双轨并进、封测与方案商协同突破，国产化交付体系成型。

美光业绩超预期，DRAM收入历史新高，消费级市场复苏：FY2025Q3财季(2025年3-5月)

美光营收创历史新高，这得益于DRAM业务营收创历史新高，其中HBM营收环比增长近50%；数据中心营收同比增长逾一倍，创季度新高；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。美光表示，2025财年有望实现创纪录的营收。细分来看，DRAM收入70.71亿美元，占总收入的76%，环比增长15.5%。DRAM Bit出货量环比增长超20%。NAND收入21.55亿美元，占总收入的23%，环比增长16.2%。NAND Bit出货量环比增长约25%。事业部来看，Mobile（MBU）营收15.51亿美元，环比增长45%；源于客户库存水平下降以及DRAM单机容量提升带来的强劲需求。Storage（SBU）营收14.51亿美元，环比增长4%；增长主要来自消费级存储产品收入的提升。Embedded（EBU）营收12.27亿美元，环比增长20%；工业和消费类嵌入式市场的需求增长提供了主要支撑。展望四季度，收入预期104～110亿美元，预期毛利率将进一步提升至41～43%。龙头业绩表现超预期，AI带动存储技术升级与需求提升，存储有望迎来新一轮成长周期，重点关注顺周期+新技术迭代驱动成长机会。

综合来看2025年，全球半导体增长延续乐观增长走势，2025年AI驱下游增长。同时，政策对供应链中断与重构风险持续升级，国产替代持续推进。展望二季度，建议关注设计板块存储/代工SoC/ASIC/CIS二季度业绩弹性，设备材料算力芯片国产替代。存储板块预估3Q25存储器合约价涨幅持续，企业级产品持续推进，带动季度业绩环比增长明确。晶圆代工龙头或开启涨价，2季度业绩展望乐观。端侧AI SoC芯片公司受益于端侧AI硬件渗透率释放，一季度业绩已体现高增长，叠加6-7月AI眼镜密集发布，后续展望乐观。ASIC公司收入增速逐步体现，Deepseek入局助力快速发展。CIS受益智能车需求带动需求迭升。模拟板块工业控制市场复苏信号已现。设备材料板块，头部厂商2025Q1业绩表现亮眼，同时国产替代持续推进+行业在新一轮并购重组及资本运作推动下加速资源整合，助力本土头部企业打造综合技术平台并强化全球竞争力。

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风险提示：地缘政治带来的不可预测风险，需求复苏不及预期，技术迭代不及预期，产业政策变化风险（天风证券 潘暕,李泓依,骆奕扬,程如莹）