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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，清华大学;北京电子控股有限责任公司申请一项名为“免退火的氧化铪薄膜的铁电存储器件制造方法、铁电存储器、存储芯片和电子设备”的专利，公开号CN120224716A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本公开涉及一种免退火的氧化铪薄膜的铁电存储器件制造方法、铁电存储器、存储芯片和电子设备，所述方法包括：在衬底上沉积第一电极层；在所述第一电极层上沉积氧化铪基铁电薄膜层；在所述氧化铪基铁电薄膜层上沉积第二电极层，并对所述第二电极层进行刻蚀得到图案化的金属顶电极，其中，沉积所述第一电极层、所述氧化铪基铁电薄膜层及所述第二电极层的反应温度均小于或等于半导体后端工艺的最高温度。
本文源自金融界
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