北京
金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，安徽光智科技有限公司申请一项名为“P型锗单晶生长方法”的专利，公开号CN120210956A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，一种P型锗单晶生长方法包括步骤：准备多根多晶锗锭并确定掺杂比例；用金刚笔在每根多晶锗锭表面划一道划痕；擦拭划痕；将划痕擦拭后的每根多晶锗锭称重，确定划痕擦拭后的多根多晶锗锭的总重量，基于掺杂比例确定镓铟合金的总重量；用无尘棉签蘸铟镓合金，在划痕内擦拭至无液体状以使铟镓合金涂布在划痕内；将多根多晶锗锭放入坩埚；抽真空并通氮气，保压；经由进气口通入氮气并维持排气口排气，保持在常压；升温化料；化料后，打开埚转，先顺时针转再逆时针转，来回三次；保温；将埚转和晶转调至旋转方向相同且旋转速度相同，进行提拉晶体生长；提拉晶体生长完成后，打开提拉炉，将生长出的晶体剪下。
天眼查资料显示，安徽光智科技有限公司，成立于2018年，位于滁州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽光智科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目81次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息838条，此外企业还拥有行政许可43个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
