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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，哈尔滨工业大学、哈工大郑州研究院、河南碳真芯材科技有限公司申请一项名为“基于MPCVD法利用固态锗源掺杂制备金刚石浅层低浓度均匀分布锗空位色心的方法”的专利，公开号CN120193332A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，基于MPCVD法利用固态锗源掺杂制备金刚石浅层低浓度均匀分布锗空位色心的方法，本发明针对现有制备金刚石内GeV色心难以控制色心制备浓度及区域等问题。制备方法：一、金刚石基底超声清洗；二、将钼托放入CVD生长舱体内的中心处，钼托上表面开有样品槽和凹槽，凹槽位于钼托的周边处，金刚石基底放入样品槽内，固态锗源放入凹槽内，刻蚀处理后使金刚石基底的表面温度达到800～850℃，通入甲烷，进行生长掺杂处理；三、再次超声清洗。本发明通过固态掺杂，利用MPCVD法制备浅层低浓度均匀分布GeV色心，本发明能通过生长时间控制外延层厚度处于较薄的水平，使得生成GeV色心也在更加近表面的亚表面层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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