北京
金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，重庆平伟实业股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽型器件及其制作方法”的专利，公开号CN120187087A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种屏蔽栅沟槽型器件及其制作方法，该器件包括：半导体基底层、设置于所述半导体基底层中的屏蔽栅沟槽结构以及设置于所述屏蔽栅沟槽结构顶部区域的源极结构；所述屏蔽栅沟槽结构包括：屏蔽栅、控制栅、控制栅绝缘介质层以及在所述沟槽底部依次堆叠的多个屏蔽栅绝缘介质层，相邻的两个所述屏蔽栅绝缘介质层之间形成阶梯结构，所述屏蔽栅与所述控制栅之间、以及所述控制栅与所述源极结构之间均通过所述控制栅绝缘介质层进行隔离，本申请可有效抬高中部电场，解决SGT器件电场下凹严重的问题，从而提升器件的耐压能力。
天眼查资料显示，重庆平伟实业股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本18552万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟实业股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息209条，此外企业还拥有行政许可49个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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