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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“密封性能改进的微机电器件的制造过程”的专利，公开号CN120157082A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及密封性能改进的微机电器件的制造过程。一种微机电器件的制造过程包括：在第一晶圆上，形成结构层和停止层；从停止层限定停止垫；在结构层中形成第一微机电结构和第二微机电结构；形成从第二晶圆突出的接触元件；在第一压力处，密封第一腔室中的第一微机电结构以及第二腔室中的第二微机电结构和停止垫；将第二腔室流体联接到外部环境；以及在第二压力处密封第二腔室。在第一压力处密封包括将第二晶圆接合到第一晶圆，使得接触元件安置在停止垫上。流体联接包括在接触元件与停止垫之间的界面处限定流体通路，以及开出进出孔，该进出孔穿过第二晶圆，与流体通路连通。
本文源自：金融界
作者：情报员
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