制造难度太大，三星推迟430层NAND Flash量产计划

6月17日消息，据韩国媒体ZDnet Korea 报导，面临复杂的内外部挑战，三星目前正就其下一代430层堆叠的V10 NAND Flash 的量产策略进行深度审慎评价，原预计于2025年下半年启动，现在则可能推迟到2026年上半年才能进行大规模的量产投资。至于延宕的主因，包括高堆叠层数NAND Flash 需求的市场不确定性、引进新技术所伴随的庞大成本压力，以及新制程技术实际应用上的困难。

报道称，V10 NAND Flash 是三星在储存技术领域的最新里程碑，其设计核心在于采用了约430层堆叠的储存单元（Cell），这比目前市面上三星最先进的V9 NAND（预估约290层堆叠）高出了超过100层。

业界之前普遍预期，三星电子有望在2025年下半年便启动V10 NAND Flash 的量产投资。然而，截至本月，三星电子仍未能敲定V10 NAND Flash 所需的蚀刻等关键制程设备的供应链。这主要归因于高堆叠层数的NAND Flash 产品的市场需求存在不确定性，以及导入全新制程技术所衍生的成本效益问题，这些因素都严重阻碍了投资的步伐。

据了解，蚀刻制程的技术挑战是导致量产延宕的核心问题之一，蚀刻是指在半导体晶圆上精确移除不必要的材料的关键步骤。通常为了在晶圆上建立出更深的信道孔（Channel Hole），蚀刻需要在摄氏零下20至零下30度的低温环境中进行。然而，对于V10 NAND，业界原预期将需要更为严苛的极低温环境，即摄氏零下60至零下70度。极低的温度有助于降低化学反应的活性，进一步使蚀刻过程即使在没有保护层的情况下，也能达成极高的精确度。

三星从主要半导体前段制程设备供应商，包括美国的Lam Research和日本的TEL，引进了极低温蚀刻设备，并进行了试生产及质量评价。然而，实际的评价结果显示，将这种极低温蚀刻技术直接应用于大规模量产存在显著困难，这已成为业界普遍的结论。因此，三星电子目前正与Lam Research 和TEL 合作，发展调整蚀刻温度至稍高的程度，并重新进行设备评价的方案。

这项针对蚀刻及相关设备的额外评价预计将于2025年下半年展开。考察到评价所需的时程，供应链的最终确立，以及实际的量产投资，最早可能也要等到2026年第一季才能达成。除了技术上的挑战，新设备的导入也意味着更高的初期投资成本，这亦是三星电子延后V10 NAND 量产投资的另一主要考察因素。

编辑：芯智讯-林子