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锡（Sn）基钙钛矿因其环境友好性和优异的光电性能，在发光二极管（LEDs）领域展现出巨大潜力。然而，Sn基钙钛矿LEDs（PeLEDs）的性能远落后于铅基器件，主要归因于Sn基钙钛矿更快的结晶速率导致薄膜缺陷密度高，引发严重的非辐射复合。
本文南京工业大学沈晓冬和滕彭彭等人提出了一种埋底界面修饰（BIM）策略，通过羧酸盐（如甲脒乙酸盐，FAAc）作为多功能表面修饰剂调控Sn基钙钛矿薄膜的结晶动力学。研究发现，埋底界面可显著改善Sn基钙钛矿的成核与结晶过程，从而获得低缺陷密度的高质量薄膜。
基于此策略，近红外Sn基PeLEDs的外量子效率（EQE）达到11.9%，创下同类器件效率纪录。该工作为高性能Sn基钙钛矿光电器件提供了一条高效、低成本的制备路径。
研究亮点
埋底界面调控结晶动力学：通过羧酸盐（FAAc）修饰PEDOT:PSS基底，形成致密氢键网络，降低接触角并增加成核位点，显著减缓Sn基钙钛矿的结晶速率，减少晶粒聚集和缺陷形成。
高效近红外发光：优化后的Sn基PeLEDs实现11.9%的EQE和56 W sr⁻¹ m⁻²的辐射亮度，为目前报道的最高效率之一，且器件操作稳定性显著提升。
普适性策略：验证了羧酸基修饰剂（如FAAc、MAAc）在Sn基钙钛矿中的通用性，为无铅钙钛矿光电器件的界面工程提供了新思路。
Zheng Jiang, Jie Yang, Wenbin Wang, Yangyu Liu, Yuhan Zhou, Jing Xu, Wang Wang, Hongyao Ding, Ya Zhong, Haifeng Zhao, Sai Bai, Weidong Xu, Wing Chung Tsoi, Tao Yu, Chunxiong Bao, Xiaodong Shen, Pengpeng Teng, Angew. Chem. Int. Ed. 2025, e202507914.
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202507914
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