有技术就是任性！台积电声称A16和A14工艺无需High-NA光刻机

近年来，英特尔在先进芯片制程方面的态度很高调，宣称自己在先进芯片制程（18A）上斩获重要进展，已临近量产阶段。其底气的重要来源之一，是采用了ASML最新的高数值孔径极紫外光刻机（High - NA EUV），请参阅上图。

那么，作为该领域的领先者，台积电方面的态度如何呢？近日，在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上，台积电副首席运营官兼业务发展及全球销售高级副总裁张晓强（kevin zhang，图二为其资料图）透露了部分相关消息，可作为参考。

张晓强表示：

“每当谈到台积电何时会采用High-NA光刻机这个话题，大家都非常感兴趣。对此，我们的答案很简单：如果我们认为High-NA光刻机能带来有意义且可衡量的好处，就会采用。

就A14工艺而言，我们可以在不使用High-NA光刻机的情况下实现，且表现良好。因此，在现阶段我们的技术团队会继续寻找方法来延长当前极紫外光刻机（EUV）的使用寿命，专注于改进现有工艺。”

据悉，台积电的A16工艺（1.6 纳米）采用第二代纳米片环绕栅极晶体管（GAA）和一种全新的标准单元架构。其本质上是现有N2工艺的改良版，相当于是N2P工艺。由于现有的N2工艺无需使用High - NA 光刻机，所以A16工艺同样无需使用。

相比之下，A14工艺是一个包含更多创新、更复杂的全新的节点，预计将于2028年量产，尽管如此，台积电表示A14工艺也无需使用High-NA光刻机。

张晓强透露，台积电技术团队已经找到了一种新方法，可以在不使用能提供8纳米分辨率的High-NA光刻机的情况下，制造1.4纳米级芯片，并强调“这是我们技术团队所取得的一项重大创新”。

台积电表示，基于A14工艺制造的芯片，晶体管密度比N2工艺提高20%。在相同功耗和复杂度下性能可提升多达15%，或者在相同频率下功耗可降低25%至30%。

综合目前已知的情况，英特尔将从2027年至2028年开始在其14A工艺节点使用High-NA光刻机。而台积电方面并不着急，预计至少要到2030年之后才会采用。小编将在第一时间分享更多相关最新动态和爆料，敬请关注。