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前言
2025年5月消息，英伟达其下一代800V HVDC架构采用纳微半导体的GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅技术开发。这一架构旨在为未来AI计算负载提供高效、可扩展的电力传输解决方案，实现更优效率与更高可靠性，同时简化基础设施设计。英伟达选择与纳微合作，为Kyber机架级系统及Rubin Ultra等GPU提供系统性供电解决方案。而实际采用英伟达800V HVDC架构可让端到端能效提升5%，降低70%的维护成本，并借助高压直流电与IT机架直连技术显著降低冷却成本。
随着AI算力需求的增长，现代AI数据中心需要配置GW级供电系统。英伟达创新性地采用了固态变压器和工业级整流器，直接将数据中心外的13.8kV交流电转换为800V高压直流电，省去多级AC/DC和DC/DC变换环节，显著提升了能效与可靠性。
800V高压直流电的高电压特性使得在相同功率传输要求下，电流强度降低，铜缆直径减少最高45%。相比之下，传统54V直流系统若需支持兆瓦级机架，将消耗超过200公斤铜材，这难以满足吉瓦级下一代AI数据中心的可持续发展需求。
纳微半导体凭借其在氮化镓与碳化硅技术领域的领先地位，为AI数据中心供电解决方案提供支持。纳微的高功率GaNSafe氮化镓功率芯片集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，在高功率应用中具备卓越的可靠性和鲁棒性。这些芯片具备短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制等功能。在二次侧DC-DC变换领域，纳微推出了80-120V的中压氮化镓功率器件，专为输出48V-54V的AI数据中心电源优化设计，实现高速、高效、低占板面积的功率转换。
纳微GeneSiC碳化硅产品覆盖650V至6.5kV超高压全电压范围，已在多个兆瓦级储能并网逆变器项目中成功应用。其第三代快速碳化硅MOSFET相较同类产品不仅效率显著提升，外壳温度也低25°C，同时使用寿命长3倍。
纳微半导体推出了一系列高性能电源解决方案，包括2023年8月发布的3.2kW CRPS电源、2024年11月推出的8.5kW AI数据中心电源，以及在Computex台北国际电脑展期间全球首发的12kW AI数据中心电源解决方案。这些产品均采用了氮化镓或氮化镓结合碳化硅技术，实现了高功率密度和高效率。
纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“我们很荣幸能够参与到NVIDIA 800V HVDC的架构建设当中。纳微在高功率氮化镓与碳化硅领域的创新已开拓多个全球首例，并成功切入AI数据中心与电动汽车等新兴市场。纳微半导体全面的产品组合使我们能够支持NVIDIA从电网到GPU的800V HVDC完整电力基建。衷心感谢NVIDIA对我们技术实力与推动数据中心供电革新的认可。”
充电头网总结
英伟达与纳微半导体合作开发的800V HVDC架构，采用先进GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅技术，助力数据中心高效供电，显著提升端到端能效，降低冷却压力和维护频次，最终降低数据中心整体运营成本。
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
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