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上个月，台积电（TSMC）在2025年北美技术论坛上公布了下一代A14制程工艺，计划2028年投产，相比于N2带来了重大进步。随后有报道称，台积电已经决定在A14制程工艺上不引入High-NA EUV光刻技术，仍然坚持使用原有的EUV光刻设备。不过外界对台积电的做法依然持怀疑态度，毕竟原来的说法是EUV只能到A16制程工艺。
据TomsHardware报道，近日台积电在荷兰阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了这一点，下一代制程工艺不需要最高端的光刻系统，无论A16还是A14都不需要High-NA EUV的参与。
台积电表示，技术团队会继续寻找一种方法来延长当前EUV光刻设备的使用寿命，同时获得扩展优势，而A14获得的增强功能即便不使用High-NA EUV的情况下收益也是非常客观的。不过具体如何实现，台积电没有说明。台积电并非排除High-NA EUV，什么时候引入要看其是否带来有意义、可衡量的好处，暂时没有时间表。
A14制程工艺将采用第二代GAA晶体管，并通过NanoFlex Pro技术进一步提高灵活性。不过首发的A14制程工艺不支持超级电轨（Super Power Rail，SPR）架构，也就是背面供电技术，台积电会在2029年带来加入背面供电的版本，满足高性能客户端和数据中心应用的需求。
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A14系列的主要优势之一是支持NanoFlex Pro技术，为芯片设计人员提供了灵活的标准元件，通过微调晶体管配置，以实现特定应用或工作负载的最佳性能、能耗和面积（PPA）指标。
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