北京
金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119922943A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括隔断区域；形成位于所述衬底中的沟槽，并使所述隔断区域位于所述沟槽中；形成凸立在所述沟槽中的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述隔断区域，并在所述沟槽的延伸方向上分割所述沟槽的空间；在所述沟槽的剩余空间中形成沟道材料层；图形化所述沟道材料层，形成鳍部，沿所述鳍部的延伸方向，所述鳍部朝向隔断区域的端部被所述阻挡层覆盖，因此，鳍部不会形成在隔断区域中，有利于抑制由所述沟道材料形成的鳍部的晶格应变松弛问题，从而提高了由所述沟道材料形成的鳍部的应力，进而提高了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目122次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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