北京
金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器”的专利，公开号CN119893984A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，形成方法包括：形成初始半导体结构，初始半导体结构包括衬底及字线结构，衬底包括多个间隔分布的半导体柱以及分别位于相邻两个半导体柱之间的多个绝缘部，字线结构沿多个半导体柱间隔分布的方向延伸，且包覆于各半导体柱的外周；绝缘部位于字线结构之上，且绝缘部远离字线结构的端部高于半导体柱的端部，相邻的两个绝缘部与其之间的半导体柱定义出位线沟槽；形成覆盖位线沟槽的侧壁的阻挡层；在具有阻挡层的位线沟槽内形成导电材料层；对导电材料层进行一次热处理，以形成位线结构；形成贯穿绝缘部并露出字线结构的接触孔；在接触孔的孔壁形成绝缘层；在具有绝缘层的接触孔内形成字线接触结构。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息225条，专利信息356条，此外企业还拥有行政许可28个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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