北京
金融界 2025 年 4 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种改善金属栅极高压器件 ESD 性能的方法和结构”的专利，公开号 CN119894077A，申请日期为 2023 年 10 月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善金属栅极高压器件 ESD 性能的方法和结构，在 P 型衬底上形成高压 P 型势阱；在高压 P 型势阱内形成第一 STI 区和第二 STI 区；在第一 STI 区、第二 STI 区之间的高压 P 型势阱内形成第一高压区 N 型扩散区；在紧邻第一 STI 区的区域和紧邻第二 STI 区的区域填充氧化硅，其中第一 STI 区远离第二 STI 区一侧的氧化硅以及第二 STI 区远离第一 STI 区一侧的凹槽内的氧化硅分别形成为栅氧层；紧邻第一 STI 区的的氧化硅形成为第一氧化硅结构，紧邻第二 STI 区的氧化硅形成为第二氧化硅结构；在第一氧化硅结构和第二氧化硅结构之间下方区域的第一高压区 N 型扩散区内形成 IO N 型势阱。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2063次，专利信息2267条，此外企业还拥有行政许可343个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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