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金融界2025年4月23日消息，国家知识产权局信息显示，新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请一项名为“用于静电放电保护装置的多深度沟槽隔离”的专利，公开号CN119815928A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及用于静电放电保护装置的多深度沟槽隔离，提供包括静电放电保护装置的结构及其形成方法。该结构包括具有顶部表面的半导体衬底、包括位于该半导体衬底中的基极的静电放电保护装置、以及设于该静电放电保护装置的该基极中的第一及第二沟槽隔离区。该第一沟槽隔离区从该半导体衬底的该顶部表面延伸至该基极中的第一深度，该第二沟槽隔离区从该半导体衬底的该顶部表面延伸至该基极中的第二深度，且该第二深度大于该第一深度。
本文源自：金融界
作者：情报员
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